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TMK107B7105KAHT 发布时间 时间:2025/5/22 12:02:35 查看 阅读:7

TMK107B7105KAHT 是一款由知名半导体厂商生产的高效能功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等应用领域。该芯片采用先进的制造工艺,在低导通电阻和高开关速度方面表现优异,能够有效降低功耗并提升系统效率。
  此型号属于N沟道增强型MOSFET,其设计优化了栅极驱动特性,支持高频工作环境,并且具有良好的热稳定性和可靠性。

参数

最大漏源电压:70V
  持续漏电流:6.8A
  导通电阻:4.2mΩ(典型值)
  栅极电荷:20nC(最大值)
  工作结温范围:-55℃至+175℃
  封装形式:TO-263-3

特性

1. 极低的导通电阻使得TMK107B7105KAHT在大电流应用中表现出色,减少了功率损耗。
  2. 高速开关性能确保其适用于高频电路设计,从而减小外部元件体积,提高整体效率。
  3. 优秀的热稳定性使其能够在高温环境下长期可靠运行。
  4. 内置ESD保护功能提升了器件的抗静电能力,增强了产品的耐用性。
  5. 支持表面贴装技术(SMD),方便自动化生产,提高了组装效率。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅设计满足国际法规要求。

应用

TMK107B7105KAHT广泛应用于各种电力电子设备中,包括但不限于以下场景:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. DC-DC转换器中的功率级控制。
  3. 电机驱动电路中的H桥或半桥配置。
  4. 电池管理系统(BMS)中的负载开关或保护电路。
  5. 汽车电子系统中的电源管理模块。
  6. 工业自动化设备中的功率转换与控制部分。

替代型号

IRF740,
  STP75NF06,
  FDP5500,
  AO3400

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