TMK107B7105KAHT 是一款由知名半导体厂商生产的高效能功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等应用领域。该芯片采用先进的制造工艺,在低导通电阻和高开关速度方面表现优异,能够有效降低功耗并提升系统效率。
此型号属于N沟道增强型MOSFET,其设计优化了栅极驱动特性,支持高频工作环境,并且具有良好的热稳定性和可靠性。
最大漏源电压:70V
持续漏电流:6.8A
导通电阻:4.2mΩ(典型值)
栅极电荷:20nC(最大值)
工作结温范围:-55℃至+175℃
封装形式:TO-263-3
1. 极低的导通电阻使得TMK107B7105KAHT在大电流应用中表现出色,减少了功率损耗。
2. 高速开关性能确保其适用于高频电路设计,从而减小外部元件体积,提高整体效率。
3. 优秀的热稳定性使其能够在高温环境下长期可靠运行。
4. 内置ESD保护功能提升了器件的抗静电能力,增强了产品的耐用性。
5. 支持表面贴装技术(SMD),方便自动化生产,提高了组装效率。
6. 符合RoHS标准,环保无铅设计满足国际法规要求。
TMK107B7105KAHT广泛应用于各种电力电子设备中,包括但不限于以下场景:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器中的功率级控制。
3. 电机驱动电路中的H桥或半桥配置。
4. 电池管理系统(BMS)中的负载开关或保护电路。
5. 汽车电子系统中的电源管理模块。
6. 工业自动化设备中的功率转换与控制部分。
IRF740,
STP75NF06,
FDP5500,
AO3400