时间：2025/6/24 8:19:55
阅读：9
TMK105SD821KV-F 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效能功率转换的场景。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，从而提高了效率并降低了功耗。
此型号属于 N 沟道增强型 MOSFET，其出色的电气特性使其非常适合高频开关应用以及高电流负载环境。
最大漏源电压(VDS)：100V
最大栅源电压(VGS)：±20V
最大漏极电流(ID)：56A
导通电阻(RDS(on))：4.3mΩ（在 VGS=10V 时）
栅极电荷(Qg)：95nC
开关时间：开启延迟时间(td(on))=27ns，关断延迟时间(td(off))=15ns
工作结温范围(TJ)：-55℃ 至 +175℃
1. 极低的导通电阻 RDS(on)，有效降低传导损耗。
2. 快速的开关性能，适合高频应用。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性。
4. 紧凑的封装设计，便于 PCB 布局优化。
5. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
6. 耐热增强型设计，能够在极端温度条件下稳定运行。
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率转换级。
2. DC-DC 转换器的核心开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率输出级。
4. 太阳能逆变器的关键功率处理单元。
5. 各类工业设备中的功率控制模块。
6. 电动汽车和混合动力汽车的动力系统组件。
TMK105SD821KV-P, IRF840, FDP55N10E
