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TMK105SD102JV-F 发布时间 时间:2025/5/8 14:37:27 查看 阅读:3

TMK105SD102JV-F 是一款高性能的功率 MOSFET,采用先进的半导体工艺制造。该器件具有低导通电阻和快速开关特性,适合用于高效率的电源转换应用中。它主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等领域。

参数

型号:TMK105SD102JV-F
  类型:N-Channel MOSFET
  额定电压:100V
  额定电流:50A
  导通电阻:2.5mΩ
  栅极电荷:36nC
  最大功耗:180W
  封装形式:TO-247
  工作温度范围:-55℃ to +175℃

特性

TMK105SD102JV-F 的主要特性包括:
  1. 低导通电阻(Rds(on)),有助于降低传导损耗,提高整体系统效率。
  2. 快速开关性能,减少了开关过程中的能量损失。
  3. 高雪崩击穿能力,增强了器件在异常情况下的可靠性。
  4. 支持大电流输出,适用于需要高功率密度的应用场景。
  5. 采用 TO-247 封装,便于散热管理并提供良好的机械稳定性。
  6. 广泛的工作温度范围使其能够在极端环境下可靠运行。

应用

TMK105SD102JV-F 可广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)设计中的主开关管。
  2. 电机控制和驱动电路中的功率级元件。
  3. 工业自动化设备中的 DC-DC 转换器。
  4. 太阳能逆变器及储能系统的功率转换模块。
  5. 电动车牵引逆变器及其他高功率电子系统。

替代型号

TMK105SD102JW-F, IRFZ44N, FDP5570N

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TMK105SD102JV-F参数

  • 标准包装1
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列CFCAP™
  • 电容1000pF
  • 电压 - 额定25V
  • 容差±5%
  • 温度系数-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 应用RF,微波,高频
  • 额定值-
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 尺寸/尺寸0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.022"(0.55mm)
  • 引线间隔-
  • 特点低失真
  • 包装Digi-Reel®
  • 引线型-
  • 其它名称587-1051-6