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TMK105CH101JV-F 发布时间 时间:2025/7/8 16:13:07 查看 阅读:13

TMK105CH101JV-F 是一种高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等场景。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,能够在高频和大电流条件下保持稳定运行。
  这种功率 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件,适用于需要高效能和高可靠性的电路设计。其封装形式和电气特性使其成为许多工业和消费类电子产品的理想选择。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:5A
  导通电阻:10mΩ
  栅极电荷:30nC
  开关时间:开态 12ns / 关态 35ns
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
  功耗:2.5W
  封装类型:TO-220

特性

1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够显著降低传导损耗,提升系统效率。
  2. 高速开关能力,支持高频应用,减少磁性元件的体积和成本。
  3. 强大的雪崩能力和鲁棒性,确保在异常条件下也能安全运行。
  4. 内置反向二极管,简化了同步整流设计。
  5. 支持宽范围的工作温度,适应恶劣环境下的应用需求。
  6. 符合 RoHS 标准,绿色环保。

应用

1. 开关电源 (SMPS)
  2. DC-DC 转换器
  3. 电机驱动与控制
  4. 工业自动化设备
  5. 电池管理系统 (BMS)
  6. LED 驱动器
  7. 充电器及适配器

替代型号

IRFZ44N
  STP55NF06L
  FDP5500
  AO3400

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TMK105CH101JV-F参数

  • 标准包装10,000
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列M
  • 电容100pF
  • 电压 - 额定25V
  • 容差±5%
  • 温度系数C0H
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 应用通用
  • 额定值-
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 尺寸/尺寸0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.022"(0.55mm)
  • 引线间隔-
  • 特点-
  • 包装带卷 (TR)
  • 引线型-