电容值：100pF
　　容差：±5%
　　额定电压：50V
　　温度特性：C0G (NP0)
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　封装尺寸：0402（1.0mm x 0.5mm）
　　介质材料：Ceramic (C0G/NP0)
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　端接类型：镍阻挡层/锡电极（Ni-Sn）
　　电容温度系数：0±30ppm/°C
　　最大厚度：0.5mm
　　包装形式：编带（Tape and Reel）

TMK105CG101JWF所采用的C0G（也称为NP0）介质材料是目前最稳定的陶瓷介质之一，能够在整个工作温度范围（-55°C至+125°C）内保持极其稳定的电容值，其温度系数仅为0±30ppm/°C，这意味着即使在极端温度环境下，电容值也不会发生显著漂移。这一特性对于需要精确频率控制的应用至关重要，例如石英晶体振荡器电路、LC谐振回路和高Q值滤波器等。相比X7R或Y5V等高介电常数但温度稳定性较差的介质材料，C0G材质虽然单位体积下的电容密度较低，但其卓越的稳定性使其在精密模拟和高频射频设计中不可替代。
　　该电容器具有非常低的介质损耗（通常tanδ < 0.1%），意味着其在高频工作时能量损耗极小，发热少，效率高，非常适合用于高频信号路径中作为耦合、去耦或阻抗匹配元件。同时，由于C0G材料本质上是非铁电性的，因此不会出现电压依赖性电容下降的问题，即在不同偏置电压下电容值保持恒定，这进一步增强了其在电源去耦和参考电路中的适用性。
　　结构上，TMK105CG101JWF采用多层叠层技术制造，内部由多个交替的陶瓷介质层和金属电极构成，从而实现小型化的同时保证良好的机械强度和热循环耐受能力。其端头电极为三层电极结构（铜-镍-锡），提供了优良的可焊性和抗腐蚀性能，确保在复杂环境下的长期可靠性。此外，该器件通过了AEC-Q200等可靠性认证，部分批次可用于汽车电子应用。
　　由于其0402微型封装，该电容适用于高度集成的PCB设计，在空间受限的应用中尤为受欢迎。尽管小尺寸可能带来焊接工艺挑战，但TDK对该系列进行了优化，以减少因焊接应力引起的微裂纹风险。总体而言，TMK105CG101JWF是一款兼具高性能、高可靠性和良好工艺兼容性的精密陶瓷电容，适用于对稳定性、噪声抑制和长期可靠性有严格要求的高端电子系统。

TMK105CG101JWF因其出色的温度稳定性和低损耗特性，被广泛应用于各种对信号完整性和稳定性要求较高的电子系统中。在射频（RF）和无线通信领域，该电容器常用于LC调谐电路、天线匹配网络、滤波器和谐振电路中，用于确保频率响应的一致性和传输效率的最大化。由于其电容值不随温度、电压或时间变化而显著改变，因此可以有效提升系统的整体精度和可靠性，避免因元件漂移导致的性能下降。
　　在精密模拟电路中，如运算放大器配置、有源滤波器和ADC/DAC参考电压去耦等场景，该电容可作为高频旁路元件，消除高频噪声干扰，提高信噪比。尤其是在高速数据采集系统中，使用此类高稳定性电容有助于维持参考电压的纯净，从而提升转换精度。
　　此外，该器件也常见于时钟生成和分配电路中，配合晶体振荡器使用，提供稳定的负载电容，确保振荡频率的准确性与长期稳定性。在工业控制设备、医疗仪器和测试测量仪器中，这类应用尤为关键。
　　在汽车电子系统中，随着ADAS、车载信息娱乐系统和传感器模块的发展，对元器件的可靠性和温度适应性提出了更高要求。TMK105CG101JWF凭借其宽温特性和符合AEC-Q200标准的潜在资质，可用于发动机控制单元（ECU）、车身电子模块和车载通信接口中，执行电源去耦、信号滤波等功能。
　　消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，同样大量使用此类小尺寸、高性能的MLCC，以满足轻薄化设计需求并保障射频性能。总之，该电容器适用于所有需要高稳定性、低失真和长期可靠性的电子应用场景。

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　　 "C2012X5R1H104K",
　　 "GRM155C81E104KA88D",
　　 "CL21A104KBANNNC",
　　 "EMK105CG101JV",
　　 "DMAL105EE101RE2L"
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