型号：TMK105BJ103KVF
　　制造商：Murata
　　封装/尺寸：0603 (1608公制)
　　电容值：10nF (103)
　　容差：±10% (K)
　　额定电压：6.3V DC
　　介质材料：X7R
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度特性：ΔC/C ≤ ±15% (-55°C 至 +125°C)
　　产品系列：TMK
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　层数结构：多层陶瓷（MLCC）
　　端子类型：镍阻挡层 / 锡覆盖
　　无铅/符合RoHS：是

TMK105BJ103KVF采用X7R型陶瓷介质，具备良好的电容稳定性，其电容值在-55°C至+125°C的宽温度范围内变化不超过±15%，适合对温度敏感度有一定要求但不需要超高精度的应用场景。该电容器的介电材料经过优化设计，能够在较宽的工作电压范围内保持相对稳定的电性能，尽管在直流偏置下会出现一定程度的容量下降，但仍能满足大多数去耦和滤波需求。其0603小型化封装（1.6mm × 0.8mm）极大地节省了PCB空间，适用于高密度布局的现代电子产品，如智能手机、平板电脑、路由器和可穿戴设备。该器件具有低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL），使其在中高频范围内表现出优异的噪声抑制能力，特别适合作为IC电源引脚的旁路电容使用。此外，村田的制造工艺确保了产品的一致性和长期可靠性，经过严格的老化测试和环境试验，具备出色的抗湿性、耐热循环能力和机械强度。所有材料均符合RoHS指令要求，并实现无铅焊接兼容，支持回流焊工艺。其端电极采用三层结构（铜内电极/镍阻挡层/锡外层），增强了焊接可靠性和耐腐蚀性。由于采用卷带包装（VF代码），便于SMT生产线自动取料，提高生产效率。整体而言，该型号在成本、性能与可靠性之间实现了良好平衡，是中低端应用中的主流选择之一。
　　值得注意的是，虽然X7R介质不属于Class I（如C0G/NP0）的超稳定类别，但其性价比优势明显，在非精密模拟电路、数字电源去耦、时钟线路滤波等方面表现可靠。对于需要更高容差或更低电压系数的应用，建议选用C0G材质的产品。同时，设计时应考虑其直流偏置效应——随着施加电压接近额定值，实际可用电容可能显著低于标称值，因此在关键滤波电路中需结合仿真或实测数据进行选型验证。

广泛应用于便携式消费电子产品中的电源管理单元去耦电路，例如智能手机、MP3播放器和蓝牙耳机；用于各类主板、显卡和嵌入式系统的数字IC供电端旁路，以抑制高频噪声并稳定电压；适用于DC-DC转换器输出端的滤波网络，配合其他电容构成多级滤波结构；在通信模块中作为射频放大器偏置线路的耦合电容；也可用于传感器信号调理电路中的交流耦合与噪声抑制；工业控制设备中用于PLC模块、接口保护电路和ADC参考电压滤波；还常见于家用电器控制板、智能电表和LED驱动电源中，承担去耦、退耦和瞬态响应补偿等功能。

GRM155R71E103KA01D