类型：多层陶瓷电容器（MLCC）
　　电容值：6800pF (6.8nF)
　　容差：±20%
　　额定电压：100V DC
　　温度特性：X7R（-55°C 至 +125°C，ΔC/C ≤ ±15%）
　　封装尺寸：0603（1608 公制）
　　长度：1.6mm
　　宽度：0.8mm
　　高度：约1.0mm
　　端接类型：镍阻挡层/锡外涂层（Ni-Sn）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　介质材料：钡钛酸盐基陶瓷
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　老化率：约2.5% / 十年（典型值）
　　直流偏压特性：随电压升高电容值下降，符合X7R类特性

TMK105B7682MV-F作为TDK旗下的一款高性能多层陶瓷电容器，具备出色的电气与机械特性，适用于多种复杂电路环境。
　　首先，该电容器采用X7R类电介质材料，这种材料在宽温范围内表现出良好的稳定性，能够在-55°C到+125°C之间维持电容值的变化控制在±15%以内，远优于Y5V等低端介质材料，因此非常适合用于对温度敏感度有一定要求但又不需要NP0/C0G级别超高精度的应用场景。其次，其100V的额定电压使其可用于中高压电路中，例如开关电源的滤波节点、DC-DC转换器输入输出端、信号耦合路径等，有效防止因电压波动导致的击穿风险。再次，该器件采用0603小型化封装，在保证一定耐压与容量的同时极大节省了PCB空间，适应现代电子产品向轻薄短小发展的趋势。同时，其表面贴装设计兼容回流焊工艺，支持自动化高速贴片，提升了生产效率与良品率。此外，得益于TDK先进的叠层制造技术，该电容内部电极分布均匀，层间结合紧密，显著降低了等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），从而在高频下仍能保持较低阻抗，增强去耦效果，减少电源噪声。再者，该产品通过AEC-Q200认证的可能性较高（需查证具体批次），表明其具备车规级可靠性，可用于汽车电子中的辅助系统。最后，其端电极为三层电极结构（Cu/Ni/Sn），具备良好的可焊性与抗热冲击能力，避免焊接过程中出现裂纹或虚焊问题，并能在多次热循环后保持连接可靠性。整体而言，TMK105B7682MV-F在性能、尺寸与可靠性之间实现了良好平衡，是中高压、中等精度应用中的理想选择。

TMK105B7682MV-F因其稳定的电气性能和紧凑的封装形式，被广泛应用于多个电子领域。
　　在消费类电子产品中，常用于智能手机、平板电脑和笔记本电脑的电源管理单元中，作为DC-DC变换器的输入或输出滤波电容，用以平滑电压波动、抑制高频噪声，提高供电质量。在工业控制系统中，该器件可用于PLC模块、传感器信号调理电路及接口保护电路中，提供稳定的去耦功能，防止瞬态干扰影响核心处理器运行。在通信设备方面，如路由器、交换机和基站前端电路中，该电容可用于时钟线路、数据总线的旁路处理，确保高速信号完整性。此外，在汽车电子系统中，包括车载信息娱乐系统、ADAS传感器模块和车身控制模块中，该电容器也发挥着重要作用，尤其适用于那些需要承受较大温度变化和振动环境的应用场景。在电源系统中，它可用于AC-DC适配器、LED驱动电源和UPS不间断电源中的滤波环节，配合其他元器件形成π型或LC滤波网络，提升输出电压纯净度。另外，在测试测量仪器和医疗电子设备中，由于这些设备对长期稳定性与可靠性要求较高，该电容凭借其较低的老化速率和良好的温度特性，也成为优选的去耦元件之一。值得一提的是，虽然其容差为±20%，不适合用于精确定时或振荡电路，但在大多数非精密模拟与数字电路中，其性能足以满足设计需求。总体来看，TMK105B7682MV-F是一款通用性强、适用范围广的MLCC器件，适用于各类需要中等容量、中高压等级且具有一定温度稳定性的去耦与滤波场合。

C1608X7R1H682M
　　GRM188R71H682KA01D
　　CL10B682MBPNNE