时间：2025/7/11 12:12:08
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TMK063CG751JT-F 是一款高性能的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于开关电源、电机驱动和逆变器等应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。
这款功率 MOSFET 专为需要高效能和高可靠性的系统设计，能够在高频工作条件下保持较低的功耗和良好的稳定性。
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds)：650V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：9.6A
导通电阻(Rds(on))：75mΩ
总功耗(Ptot)：140W
结温范围(Tj)：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247
TMK063CG751JT-F 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，有助于减少传导损耗并提高整体效率。
2. 高击穿电压 Vds(650V)，适合高压环境下的应用。
3. 快速开关性能，能够适应高频开关要求，从而减小磁性元件体积，降低系统成本。
4. 内置保护功能，如过温保护，确保在异常情况下的可靠性。
5. 具备出色的热性能，可以有效管理器件运行时的温度升高。
6. 封装坚固耐用，适用于恶劣的工作环境。
该器件广泛应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS) 和 DC-DC 转换器中的主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动电路，用于控制电机的速度和方向。
3. 太阳能逆变器及 UPS 系统中的功率转换部分。
4. LED 驱动器以实现高效的电流调节。
5. 各类工业自动化设备中的功率级模块。
6. 汽车电子系统中，例如电动车窗、座椅调节以及电动助力转向系统等。
TMK063CG752JT-F, IRF840A, STP90NF06L
