TMK063CG561JT-F 是一款高性能的工业级功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及逆变器等应用。该芯片采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。
TMK063CG561JT-F 的设计使其在高效率和高可靠性方面表现出色,同时具有强大的抗电磁干扰能力,适合在恶劣的工作环境下使用。
类型:功率MOSFET
封装:TO-247
Vds(漏源电压):650V
Rds(on)(导通电阻):0.063Ω
Id(连续漏极电流):80A
功耗:150W
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
栅极电荷:125nC
反向恢复时间:45ns
TMK063CG561JT-F 具有以下主要特点:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),能够有效降低导通损耗,提升整体系统效率。
2. 高额定漏源电压 (Vds),可支持更高的工作电压环境。
3. 大电流承载能力 (Id),适用于高功率密度的设计需求。
4. 优化的栅极电荷和开关性能,提供更快的开关速度,减少开关损耗。
5. 宽泛的工作温度范围 (-55℃ 至 +150℃),保证了在极端温度条件下的可靠运行。
6. 封装采用 TO-247 标准结构,散热性能优异且易于安装。
7. 高度集成的保护机制,包括过流保护和短路保护功能,提升了器件的耐用性。
TMK063CG561JT-F 芯片广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中作为主功率开关。
2. 工业电机驱动和伺服控制系统中的功率驱动部分。
3. 新能源领域如太阳能逆变器和风力发电系统的功率变换模块。
4. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的车载充电器及电池管理系统。
5. 各类工业自动化设备和家电产品的高效能功率转换电路。
6. 照明系统的电子镇流器和 LED 驱动电源。
IRFP260N, FQP50N06L, STP55NF06