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TMK063CG330JT-F 发布时间 时间:2025/7/8 16:10:56 查看 阅读:18

TMK063CG330JT-F 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于高频开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等领域。该芯片采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术,具备低导通电阻和快速开关特性,从而实现高效能和低损耗。
  其封装形式为 TO-252(DPAK),具有良好的散热性能和电气稳定性,适用于各种工业和消费类电子产品。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:33A
  导通电阻:1.8mΩ
  栅极电荷:45nC
  开关速度:超快
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

TMK063CG330JT-F 的主要特点是其低导通电阻,仅为 1.8mΩ,这显著降低了传导损耗,提升了系统效率。此外,它还拥有较小的栅极电荷,使得开关速度更快,减少了开关损耗。
  在热管理方面,该芯片的封装设计确保了高效的热量散发,即使在高电流负载下也能保持稳定运行。
  其工作温度范围宽广,能够适应恶劣的工作环境,同时具备出色的抗电磁干扰能力,适合复杂电子系统的应用需求。

应用

这款功率 MOSFET 广泛用于高频开关电源的设计中,尤其是在需要高效率和高功率密度的应用场景下表现优异。例如,在服务器电源、通信设备电源以及电动车充电模块中都可发挥重要作用。
  此外,TMK063CG330JT-F 还适用于 DC-DC 转换器、电机驱动器、LED 驱动器等场合,能够有效提升系统的整体性能和可靠性。

替代型号

IRF3205, FDPF3330

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TMK063CG330JT-F参数

  • 标准包装15,000
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列M
  • 电容33pF
  • 电压 - 额定25V
  • 容差±5%
  • 温度系数C0G,NP0
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 应用通用
  • 额定值-
  • 封装/外壳0201(0603 公制)
  • 尺寸/尺寸0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.013"(0.33mm)
  • 引线间隔-
  • 特点-
  • 包装带卷 (TR)
  • 引线型-