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TMK063CG120JT-F 发布时间 时间:2025/7/1 11:13:33 查看 阅读:14

TMK063CG120JT-F 是一款基于碳化硅 (SiC) 材料的高性能功率 MOSFET 芯片,专为高效率、高频开关应用而设计。该芯片具有低导通电阻和快速开关速度,能够显著降低能量损耗并提升系统效率。
  其主要应用领域包括新能源汽车、工业电源、光伏逆变器以及数据中心电源等需要高效能转换的场景。

参数

额定电压:1200V
  额定电流:63A
  导通电阻:3.5mΩ
  栅极电荷:95nC
  反向恢复时间:80ns
  工作温度范围:-55℃ 至 175℃

特性

TMK063CG120JT-F 具有以下显著特点:
  1. 使用 SiC 技术,具备更高的击穿场强和热导率,从而实现更高的工作温度和更小的体积。
  2. 极低的导通电阻使得传导损耗大幅减少,有助于提高整体系统的效率。
  3. 快速开关性能降低了开关损耗,尤其适合高频应用场景。
  4. 高可靠性设计,能够在极端温度条件下稳定运行。
  5. 内置保护功能,例如过流保护和短路保护,增强了器件的安全性。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 新能源汽车的电机驱动控制器和车载充电器。
  2. 工业设备中的大功率开关电源和不间断电源 (UPS)。
  3. 光伏逆变器和其他可再生能源发电系统。
  4. 数据中心使用的高效服务器电源和储能系统。
  5. 高频 DC/DC 转换器及 AC/DC 转换器等电力电子装置。

替代型号

TMK063CG120HT-F, TMK063AG120JT-F

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TMK063CG120JT-F参数

  • 标准包装15,000
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列M
  • 电容12pF
  • 电压 - 额定25V
  • 容差±5%
  • 温度系数C0G,NP0
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 应用通用
  • 额定值-
  • 封装/外壳0201(0603 公制)
  • 尺寸/尺寸0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.013"(0.33mm)
  • 引线间隔-
  • 特点-
  • 包装带卷 (TR)
  • 引线型-