时间：2025/7/1 11:13:33
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TMK063CG120JT-F 是一款基于碳化硅 (SiC) 材料的高性能功率 MOSFET 芯片，专为高效率、高频开关应用而设计。该芯片具有低导通电阻和快速开关速度，能够显著降低能量损耗并提升系统效率。
其主要应用领域包括新能源汽车、工业电源、光伏逆变器以及数据中心电源等需要高效能转换的场景。
额定电压：1200V
额定电流：63A
导通电阻：3.5mΩ
栅极电荷：95nC
反向恢复时间：80ns
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
TMK063CG120JT-F 具有以下显著特点：
1. 使用 SiC 技术，具备更高的击穿场强和热导率，从而实现更高的工作温度和更小的体积。
2. 极低的导通电阻使得传导损耗大幅减少，有助于提高整体系统的效率。
3. 快速开关性能降低了开关损耗，尤其适合高频应用场景。
4. 高可靠性设计，能够在极端温度条件下稳定运行。
5. 内置保护功能，例如过流保护和短路保护，增强了器件的安全性。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 新能源汽车的电机驱动控制器和车载充电器。
2. 工业设备中的大功率开关电源和不间断电源 (UPS)。
3. 光伏逆变器和其他可再生能源发电系统。
4. 数据中心使用的高效服务器电源和储能系统。
5. 高频 DC/DC 转换器及 AC/DC 转换器等电力电子装置。
TMK063CG120HT-F, TMK063AG120JT-F
