时间：2025/7/1 11:12:34
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TMK063CG111JTHF 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于开关电源、电机驱动和负载切换等应用领域。该芯片采用先进的制程工艺制造，具备低导通电阻和高开关速度的特点，可显著提高系统的效率和稳定性。
这款器件属于 N 沟道增强型 MOSFET，适合在高频和大电流条件下运行。其封装形式为 TO-263（D2PAK），具有良好的散热性能，能够承受较高的功率损耗。
最大漏源电压：60V
持续漏极电流：38A
导通电阻：1.1mΩ
栅极电荷：95nC
开关时间：ton=12ns, toff=15ns
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装类型：TO-263
1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提升效率。
2. 快速的开关特性，适用于高频电路设计。
3. 高额定电流能力，支持多种高功率应用场景。
4. 强大的热性能，确保长期稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅材料。
6. 内置 ESD 保护功能，增强可靠性。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动电路中的功率输出级。
3. 工业控制设备中的负载切换。
4. 大功率 LED 驱动器中的电流调节元件。
5. 电池管理系统中的保护开关。
6. 各类逆变器及转换器的核心功率组件。
TMK063CG112KTHF, IRF540N, FDP067N06L
