时间：2025/12/27 11:27:52
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TMK042CG7R2BD-W是一款由KEMET（现为YAGEO集团的一部分）生产的多层陶瓷芯片电容器（MLCC），专为高可靠性、高性能的电子电路设计而开发。该器件采用标准的0402英制封装尺寸（1.0mm x 0.5mm），适合在空间受限的高密度印刷电路板上使用。TMK042CG7R2BD-W属于X7R介电材料类别，具有稳定的电容值随温度变化的特性，在-55°C至+125°C的宽温度范围内，电容变化率不超过±15%。该型号额定电压为25V DC，标称电容值为3.3μF，适用于去耦、滤波、旁路和储能等多种应用场景。该器件采用镍阻挡层端接结构（Ni barrier termination），并具备良好的可焊性和抗热冲击性能，符合RoHS指令要求，无铅且兼容无铅回流焊工艺。此外，TMK042CG7R2BD-W通过了AEC-Q200汽车级认证，适用于对可靠性和耐久性要求较高的汽车电子系统。其紧凑的尺寸与较大的电容容量相结合，使其成为移动设备、便携式消费电子产品以及工业控制模块中的理想选择。
尺寸代码：0402 (1.0 x 0.5 mm)
电容值：3.3μF
额定电压：25V DC
介电材料：X7R
电容公差：±20%
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
温度特性：ΔC/C ≤ ±15%
端接类型：Ni Barrier (Nickel Barrier Termination)
包装形式：卷带编装（Tape and Reel）
符合标准：RoHS compliant, AEC-Q200 qualified
TMK042CG7R2BD-W的突出特性之一是其在小尺寸封装内实现了相对较高的电容密度。这得益于KEMET先进的叠层陶瓷制造工艺，能够在保持机械强度的同时，最大限度地增加内部电极层数，从而提升单位体积的电容值。这种高容量小型化的设计特别适用于现代便携式电子产品，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，这些应用通常对PCB空间极为敏感。
X7R介电材料赋予了该器件良好的温度稳定性，确保其在极端环境条件下仍能维持可靠的电气性能。即使在高温或低温环境中，其电容值的变化也能控制在±15%以内，这对于电源去耦和信号滤波等关键功能至关重要。此外，X7R材料相比Y5V等高介电常数材料具有更低的电压依赖性和更小的老化率，进一步提升了长期使用的稳定性。
Ni barrier端接技术是该型号另一重要特性。该结构通过在铜内电极与外部焊接层之间加入镍阻挡层，有效防止银离子迁移和铜扩散，显著提高器件在潮湿、高温反偏（HAST）和温度循环测试中的可靠性。这一特性对于汽车电子、工业控制系统等严苛应用环境尤为重要。
该器件还具备优异的机械鲁棒性，能够承受标准表面贴装工艺中的热应力和机械应力，减少因板弯或热膨胀不匹配导致的裂纹风险。同时，其符合AEC-Q200汽车级认证，表明其已通过严格的寿命测试、耐湿性测试和温度循环测试，适用于发动机控制单元（ECU）、车载信息娱乐系统和高级驾驶辅助系统（ADAS）等关键子系统。
TMK042CG7R2BD-W广泛应用于对尺寸、可靠性和性能均有较高要求的电子系统中。在汽车电子领域，它常用于各类控制器模块的电源轨去耦，例如车身控制模块（BCM）、电池管理系统（BMS）和车载充电器（OBC），确保微处理器和传感器供电稳定。其AEC-Q200认证和宽温工作能力使其能够在发动机舱或底盘等恶劣环境中长期可靠运行。
在消费类电子产品中，该器件被广泛用于手机、平板电脑和无线耳机等设备的DC-DC转换器输出滤波和电源旁路电路。其小尺寸特性有助于缩小整体产品体积，而稳定的电容性能则有助于降低电源噪声，提升射频模块和音频电路的信噪比。
在工业自动化和通信基础设施中，TMK042CG7R2BD-W可用于FPGA、ASIC和微控制器的电源管理单元，提供瞬态电流响应支持，抑制电压波动。此外，它也可用于模拟前端电路中的耦合与滤波，确保信号完整性。
由于其无磁性材料构造，该电容器还可用于医疗电子设备和精密测量仪器中，避免对外部磁场产生干扰。总之，该器件凭借其高可靠性、小尺寸和稳定电气性能，成为多种高端电子系统中不可或缺的基础元件。
C0402X336M25P
