TMJ325AB7475MMHP 是一款高性能的功率 MOSFET,主要用于高频开关和高效能电源管理应用。该器件采用了先进的制造工艺,能够提供较低的导通电阻和较高的开关速度,适用于工业、通信和消费电子领域。
型号:TMJ325AB7475MMHP
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds):75V
最大栅源电压(Vgs):±20V
持续漏极电流(Id):50A
导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ(典型值)
总功耗(Ptot):280W
工作温度范围:-55°C 至 175°C
封装形式:TO-247-3
TMJ325AB7475MMHP 具有低导通电阻和快速开关能力,能够有效降低系统能耗。
其优化的栅极电荷设计可减少开关损耗,提升整体效率。
器件内置了静电保护电路,增强了在实际应用中的可靠性。
此外,该产品还具有出色的热性能,能够在高温环境下稳定运行,非常适合高功率密度的设计需求。
它支持宽范围的工作温度,适应各种恶劣环境条件下的应用。
该芯片广泛应用于直流电机驱动、开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、逆变器以及太阳能逆变系统等领域。
由于其大电流承载能力和低导通损耗的特点,也特别适合于需要高效率和高可靠性的工业设备中。
另外,在电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)的牵引逆变器和车载充电器中也有广泛应用。
IRFP260N
STP50NF06
FDP5500
IXYS5N75P