时间：2025/6/12 15:52:20
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TMJ316BB7475KLHT是一种高性能的功率MOSFET器件，主要应用于高效率开关电源、电机驱动以及负载开关等场景。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，能够显著提升系统的整体效率并降低能耗。
该型号属于TO-263封装（D2PAK），支持表面贴装技术（SMT），非常适合自动化生产和紧凑型设计需求。其耐压范围和快速开关特性使其在工业控制、消费电子以及汽车电子领域中得到广泛应用。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压Vds：60V
最大栅源电压Vgs：±20V
连续漏极电流Id：16A
导通电阻Rds(on)：2.8mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗Ptot：118W
工作结温范围Tj：-55℃至+175℃
封装形式：TO-263（D2PAK）
TMJ316BB7475KLHT具备以下关键特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少导通损耗，提高系统效率。
2. 快速开关性能，适合高频应用环境。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性和可靠性。
4. 支持大电流操作，确保在高负载条件下的稳定运行。
5. 内置防静电保护功能，提高了产品的抗干扰能力。
6. 表面贴装封装，简化了PCB布局和生产流程。
该型号广泛应用于各类需要高效功率转换的场合，具体包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关管。
2. 电机驱动电路中的功率级元件。
3. 汽车电子系统中的负载开关或继电器替代方案。
4. 工业设备中的逆变器和变频器模块。
5. 笔记本电脑适配器及充电器中的同步整流器。
6. LED驱动电源中的功率调节组件。
TMJ316BB7475KLAHT, TMJ316BB7475KLBHT
