时间：2025/8/7 15:26:35
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TMG12C60 是一款由东芝（Toshiba）生产的MOSFET功率晶体管，专为高效率、高频率开关应用设计。该器件采用先进的沟槽栅极技术，以实现低导通电阻和快速开关性能，适用于各种电力电子系统，如电源转换器、电机控制、DC-DC转换器以及逆变器等。TMG12C60的封装形式为TO-252（DPAK），适合表面贴装工艺，便于散热和在PCB上的安装。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压(Vds)：600V
连续漏极电流(Id)：12A（在Tc=25℃时）
导通电阻(Rds(on))：典型值为0.48Ω
栅极阈值电压(Vgs(th))：通常为4.5V
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装：TO-252（DPAK）
TMG12C60 的核心优势在于其出色的导通和开关性能。该器件采用了东芝专有的U-MOS技术，显著降低了导通损耗和开关损耗，从而提高了整体系统的效率。其低导通电阻（Rds(on)）可减少在高电流工作时的功率损耗，提升系统稳定性。
此外，TMG12C60具备良好的热稳定性和高耐压能力，能够在高温环境下长时间稳定运行。其TO-252封装形式不仅节省空间，还支持高效的散热管理，适合高密度PCB布局。
该MOSFET还具备较强的抗雪崩能力，能够在负载突变或短路情况下提供额外的保护。其栅极驱动电压范围较宽，兼容常见的驱动电路，简化了设计和应用。
值得一提的是，TMG12C60的快速开关特性使其适用于高频开关应用，如开关电源（SMPS）和LED照明驱动器。在这些应用中，减少开关损耗是提高系统效率的关键因素，而该器件正好满足这一需求。
TMG12C60 常用于高频率、高效率的电源系统，如AC-DC和DC-DC转换器、电机驱动、工业自动化设备、UPS不间断电源、太阳能逆变器以及LED照明电源等。由于其良好的热性能和紧凑的封装，它也非常适合用于空间受限的设计中。
TK11A60D，STF12N60DM2，IRFPC50
