TMF30115 时间：2025/8/4 6:29:06 阅读：18

TMF30115 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）推出的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，采用N沟道结构，适用于高功率密度和高效率的应用场景。该器件具有较低的导通电阻（Rds(on)），可有效减少导通损耗，提高系统效率。TMF30115采用紧凑型封装设计，适合在空间受限的应用中使用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：115A
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　导通电阻（Rds(on)）：5.5mΩ（典型值）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　最大功耗（Ptot）：140W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：PowerFLAT 5x6

特性

TMF30115 具有以下显著特性：
　　1. **低导通电阻**：TMF30115 的典型导通电阻仅为 5.5mΩ，能够显著降低导通损耗，提高整体系统效率。这使得该器件非常适合用于高电流、高效率的电源管理应用。
　　2. **高电流承载能力**：该MOSFET的最大漏极电流可达115A，使其适用于高功率负载的开关控制，如电机驱动、DC-DC转换器等。
　　3. **高效散热设计**：采用 PowerFLAT 5x6 封装，具有优异的热性能，能够有效散发工作过程中产生的热量，从而提升器件的可靠性和使用寿命。
　　4. **高速开关性能**：由于其低栅极电荷（Qg）和低输入电容（Ciss），TMF30115能够实现快速开关操作，适用于高频开关电源和同步整流电路。
　　5. **广泛的工作温度范围**：器件支持 -55°C 至 +150°C 的工作温度范围，适合在各种严苛环境条件下使用。
　　6. **符合RoHS标准**：该器件符合环保要求，适用于工业、汽车和消费类电子设备。

应用

TMF30115 主要应用于以下领域：
　　1. **电源管理系统**：作为主开关器件用于DC-DC降压/升压转换器、同步整流器和负载开关，提供高效能的电源转换。
　　2. **电机控制与驱动**：在电机驱动电路中用作功率开关，支持高电流输出，适用于工业自动化设备和电动工具。
　　3. **电池管理系统**：用于电池充放电控制电路中，实现对高电流电池组的高效管理。
　　4. **汽车电子**：在车载电源系统、电动助力转向系统（EPS）、车载充电器（OBC）等应用中提供高可靠性的功率开关功能。
　　5. **工业自动化与伺服控制**：用于伺服驱动器和工业控制模块中的功率级设计。