时间:2025/12/27 9:43:26
阅读:11
TMF212B7105KGHT是一款由Taiyo Yuden(太诱)公司生产的多层陶瓷电容器(MLCC),广泛应用于各类电子设备中。该器件属于高介电常数、高容量的X7R或X5R型陶瓷材料类别,具备良好的温度稳定性和电气性能。其封装尺寸为0805(英制),即公制2012,适合表面贴装技术(SMT),在空间受限的高密度PCB设计中具有显著优势。该电容器的标称电容值为1.0μF(105表示1.0×10^5 pF),额定电压为25V DC,适用于中等电压级别的去耦、滤波和旁路应用。由于采用镍/锡(Ni-Sn)端接结构,该器件具有良好的可焊性和耐热冲击性能,符合RoHS环保标准,并支持回流焊接工艺。TMF212B7105KGHT在消费类电子产品、工业控制、通信模块及汽车电子等领域均有广泛应用。
电容:1.0μF
电压:25V
温度特性:X7R
电容公差:±10%
封装尺寸:0805(2012)
工作温度范围:-55℃ ~ +125℃
直流偏压特性:典型值在16V偏压下保持约70%初始电容
绝缘电阻:≥1000MΩ 或 C·V ≥ 100S(取较大值)
等效串联电阻(ESR):低,具体值依频率而定
老化率:≤2.5% / decade hour(X7R材质典型值)
TMF212B7105KGHT采用先进的多层叠膜工艺制造,确保了高可靠性和稳定的电气性能。其X7R介质材料具有优异的温度稳定性,在-55℃至+125℃的工作温度范围内,电容变化率不超过±15%,适用于对温漂要求较高的电路环境。该器件在直流偏压下的电容保持率表现良好,尽管随着施加电压升高电容会有所下降,但在实际应用中仍能维持有效滤波能力,尤其适合作为电源去耦电容使用。其0805小型封装在保证足够机械强度的同时,兼顾了高频响应与安装密度,适合自动化贴片生产。
此外,该电容器具备优良的抗湿性和耐热循环性能,经过严格的AEC-Q200认证测试,部分系列可用于汽车电子系统。Ni-Sn端电极设计不仅增强了焊接可靠性,还降低了因银迁移导致短路的风险,提升了长期使用的稳定性。在噪声抑制和电源平滑方面,TMF212B7105KGHT能够有效吸收高频噪声,提升系统EMI性能。其低等效串联电阻(ESR)和等效串联电感(ESL)特性使其在开关电源、DC-DC转换器输出滤波等高频应用场景中表现出色。整体而言,该器件结合了高容量、小体积与高可靠性,是现代电子设计中理想的陶瓷电容选择之一。
主要用于电源管理电路中的去耦与滤波,如微处理器、FPGA、ASIC等数字IC的供电引脚旁路;适用于DC-DC转换器的输入输出滤波电容,提供稳定的电压输出并减少纹波;在便携式消费类电子产品(智能手机、平板电脑、可穿戴设备)中用于节省空间的同时实现高容量需求;也可用于工业控制系统、传感器模块、LED驱动电源以及汽车信息娱乐系统和ADAS模块中的信号耦合与噪声抑制;此外,在通信设备如路由器、基站模块中作为高频旁路元件使用,提升系统信号完整性与抗干扰能力。
[
"GRM21BR71H105KA01L",
"C2012X7R1H105K",
"CL21B105KOANNNC",
"CC0805ZRY5V105Z"
]