时间：2025/9/6 15:56:37
阅读：5
TMCTXC1D685MTR 是由 Vishay Siliconix 生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件专为高性能电源管理应用而设计，具备低导通电阻（Rds(on)）和高耐压能力，适用于需要高效率和高可靠性的电路。该 MOSFET 采用先进的沟槽技术，提供出色的热性能和电流处理能力，适用于各种工业、消费类和汽车电子系统。
类型：MOSFET（N 沟道）
最大漏源电压（Vds）：100V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：110A（在 25°C 下）
导通电阻（Rds(on)）：最大 4.5mΩ（典型值 3.7mΩ）
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：TO-220AB
功率耗散（Pd）：310W
漏极电容（Coss）：约 1800pF
栅极电荷（Qg）：约 100nC
TMCTXC1D685MTR 具备多项优异的电气和热性能特点。其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体系统的效率。采用先进的沟槽技术使该 MOSFET 在高电流条件下仍能保持稳定运行，并具备良好的抗热失效能力。此外，该器件的高耐压能力（100V）使其适用于多种高压电源转换应用。其封装设计优化了散热性能，确保在高功率负载下仍能保持较低的结温。该 MOSFET 还具有快速开关能力，有助于减少开关损耗并提高系统响应速度。同时，其宽泛的工作温度范围（-55°C 至 175°C）使其适用于严苛的环境条件。
TMCTXC1D685MTR 广泛应用于多种高性能电源管理系统，包括 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统、电源管理模块以及不间断电源（UPS）系统。它也常用于工业自动化设备、电动工具、电动车控制系统以及大功率 LED 驱动电路。此外，该 MOSFET 的高可靠性和高效率特性使其成为汽车电子系统中的理想选择，如车载充电器、DC-AC 逆变器和车身控制模块。
IRF1404Z、SiR178DP、SiR182DP、IRF1324L2
