时间：2025/9/10 3:51:31
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TMCS30E2A104MTF是一款由TMC（Taiwan Microelectronics Corporation）生产的功率MOSFET器件，主要用于高电压、高电流应用场合。该器件基于先进的沟槽式MOSFET技术制造，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等电路。该器件采用TO-252（DPAK）封装形式，便于散热并适合在紧凑型电子设备中使用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：300V
最大漏极电流（ID）：10A
导通电阻（RDS(on)）：0.18Ω @ VGS=10V
栅极电压范围：-20V ~ +20V
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-252（DPAK）
最大功耗：50W
TMCS30E2A104MTF采用了先进的沟槽式MOSFET技术，使其在高电压和高电流环境下仍能保持良好的性能表现。其低导通电阻（RDS(on)）确保了在导通状态下的功耗最低，从而提高了系统的能效并减少了散热需求。此外，该器件具有高开关速度，使其在高频开关应用中表现出色，适用于各种功率转换和调节电路。
该MOSFET器件的封装形式为TO-252（DPAK），具备良好的热管理和机械稳定性，适合在空间受限的PCB设计中使用。其宽广的工作温度范围也使其能够在极端环境条件下稳定运行，适用于工业自动化、汽车电子、消费类电源及绿色能源系统等应用领域。
TMCS30E2A104MTF广泛应用于各种功率电子系统中，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路、LED照明电源、电池管理系统以及工业控制设备。由于其具备高电压和大电流承载能力，该器件也非常适合用于需要高效能和高可靠性的电源管理方案中。
TK30E20U, FQA10N30C, IRF840, STP10NM50N
