类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：30V
　　最大栅源电压(Vgs)：20V
　　最大连续漏极电流(Id)：120A
　　导通电阻(Rds(on))：6.8mΩ @ Vgs=10V
　　栅极电荷(Qg)：78nC
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：PowerPAK 8x8
　　功率耗散(Pd)：200W

TMCS30E1E684MTF 是一款高性能功率MOSFET，采用了先进的 TrenchFET 技术，提供极低的导通电阻（Rds(on)）和优异的开关性能。该器件在高频工作条件下表现出色，能够有效降低开关损耗，提高系统效率。其低导通电阻使其在大电流应用中具有更低的功率损耗，从而减少发热并提高可靠性。
　　该MOSFET的最大漏源电压为30V，最大连续漏极电流可达120A，适用于高功率密度设计。此外，其栅极电荷（Qg）仅为78nC，有助于实现快速开关，从而减少开关损耗。器件的栅源电压最大可达20V，确保在各种驱动条件下稳定工作。
　　在热性能方面，TMCS30E1E684MTF 采用 PowerPAK 8x8 封装，提供良好的散热能力，能够承受较高的功率耗散（200W）。这使得它在高负载和高温环境下仍能保持稳定运行。此外，其工作温度范围为-55°C至175°C，适应各种严苛的工作环境，包括汽车电子和工业控制系统。
　　该MOSFET还具有良好的耐用性和抗干扰能力，能够在高噪声环境下保持稳定的工作状态。其设计考虑了EMI（电磁干扰）优化，有助于减少电路中的高频噪声，提高系统的整体稳定性。

TMCS30E1E684MTF 主要用于需要高效率和高功率密度的电力电子系统。常见的应用包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器和电池管理系统等。在电动汽车和混合动力汽车领域，该MOSFET可用于电池保护电路和充电管理系统，确保高电流条件下的稳定运行。
　　此外，该器件也广泛应用于服务器电源、通信电源、工业自动化设备和不间断电源（UPS）系统中，提供高效的功率转换和可靠的电路保护。在电机控制方面，TMCS30E1E684MTF 可用于H桥驱动电路，实现对直流电机或步进电机的高效控制。
　　由于其优异的热性能和高电流能力，该MOSFET还适用于需要快速响应和高频率开关的功率变换器，如谐振变换器和软开关变换器。其在高温环境下的稳定性使其成为工业和汽车应用的理想选择。

SiS170DN、IRF1104、IRF1104S、FDMS7680、FDMS7682