电容值：6.8μF
　　额定电压：4V
　　电介质材料：X5R/X7R
　　封装尺寸：0805
　　温度范围：-55°C 至 +85°C
　　容差：±20%
　　工作温度系数：X5R 或 X7R 特性
　　等效串联电阻（ESR）：低
　　尺寸（长x宽x高）：约2.0mm x 1.2mm x 0.9mm
　　端接类型：镍/锡

TMCHC1D685MTRF多层陶瓷电容器采用了先进的陶瓷材料和多层结构设计，使其在小型化的同时保持较高的电容值和稳定性。由于使用了X5R或X7R电介质材料，该电容器在宽温度范围内（-55°C 至 +85°C）能够保持电容值的稳定，具有较小的温度漂移。此外，该器件的低等效串联电阻（ESR）特性使其适用于高频滤波和电源去耦电路，有助于降低噪声并提高系统稳定性。
　　其0805封装尺寸适中，适合表面贴装技术（SMT）工艺，便于自动化生产和高密度PCB布局。此外，该电容器的额定电压为4V，适用于低压电路中的稳定工作，适用于现代电子设备中对空间和性能要求较高的应用。TMCHC1D685MTRF还具有优异的抗湿热性能和长期稳定性，确保在各种环境条件下可靠运行。

该电容器广泛应用于各类电子设备中，特别是在需要高性能去耦和滤波功能的场合。典型应用包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑、可穿戴设备等消费电子产品；工业控制系统、传感器模块、自动化设备等工业应用；以及通信设备如基站、路由器、交换机等网络设备。此外，它也适用于汽车电子系统中的低压电源管理模块，提供稳定的电容支持。
　　在电源管理IC（PMIC）、DC-DC转换器、LDO稳压器等电源模块中，TMCHC1D685MTRF可作为输入/输出滤波电容，有效降低电源噪声，提高电源效率。同时，在RF电路中，该电容器可作为旁路电容，用于滤除高频干扰信号，提升系统性能。

C1210C685M5RACTU, C1210C685M3HACTU, GRM21BR60J685K