时间：2025/5/20 21:12:13
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TMC3KJ-B1K-TR/V 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率转换的场景。该芯片采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提升系统的效率和性能。
这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件，具有出色的热稳定性和可靠性，适合在严苛的工作环境下使用。其封装形式为 TO-252 (DPAK)，有助于简化设计并提高散热性能。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：40A
导通电阻：2.5mΩ
栅极电荷：55nC
开关速度：超快
工作温度范围：-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻，减少传导损耗，提高整体效率。
2. 高速开关性能，支持高频应用。
3. 出色的热稳定性，能够在高温条件下长时间运行。
4. 小巧的封装设计，便于 PCB 布局和安装。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅材料。
6. 内置保护机制，包括过流保护和短路保护，增强系统安全性。
广泛用于开关模式电源（SMPS）、直流-直流转换器、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、太阳能逆变器以及各类工业控制设备中。
特别适用于需要高效率和高可靠性的功率转换场景。
TMC3KJ-A1K-TR/V, TMC3KJ-C1K-TR/V
