类型：N沟道
　　最大漏源电压(Vds)：500V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：23A（在25°C时）
　　导通电阻(Rds(on))：0.22Ω（最大值）
　　功率耗散(Pd)：300W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-220

TMAN23N50具有多种显著的特性，使其适用于高要求的电子应用。首先，其高耐压能力达到500V，能够有效应对高电压环境下的工作需求。其次，该器件的导通电阻较低，最大为0.22Ω，有助于减少导通损耗，提高整体效率。此外，TMAN23N50具备快速开关特性，有助于减少开关损耗，提升系统的动态响应能力。
　　该MOSFET的封装形式为TO-220，这种封装具有良好的散热性能，同时便于安装和焊接。器件的最大连续漏极电流为23A，在高功率应用中能够提供稳定的电流输出。此外，其最大功率耗散为300W，能够在较高的功率负载下保持可靠的工作状态。TMAN23N50的工作温度范围为-55°C至150°C，适应性强，能够在恶劣的环境条件下正常工作。

TMAN23N50的应用范围非常广泛，主要集中在需要高功率和高效率的电子系统中。例如，在电源管理系统中，它可以用作主开关器件，实现高效的能量转换。在DC-DC转换器设计中，该MOSFET的快速开关特性和低导通电阻有助于提升转换效率，同时减小系统体积。此外，在电机控制应用中，TMAN23N50能够提供稳定的高电流输出，确保电机运行的平稳性和可靠性。
　　该器件也常用于工业自动化设备、变频器和逆变器等应用场景中。在这些应用中，高耐压和良好的热稳定性是关键的设计要求，而TMAN23N50能够很好地满足这些需求。此外，由于其优异的性能，该MOSFET也被广泛应用于家用电器和电动工具的功率控制电路中。

IRF250, FQA24N50, STP24N50