TMAG5110B2AQDBVRQ1 是一款由德州仪器(TI)生产的高性能、低功耗的霍尔效应传感器芯片。该器件采用先进的 CMOS 技术制造,能够提供高精度的磁性位置检测和速度测量功能。它具有极低的功耗特性,适用于电池供电设备以及对能效要求较高的应用场合。此外,该芯片还集成了多种保护机制,如过压保护、反向电压保护等,以确保其在复杂环境下的可靠性。
工作电压:1.6V 至 3.6V
输出模式:数字输出(PWM/频率输出)
灵敏度:高达 12mT
温度范围:-40°C 至 +125°C
封装类型:DBV (2.0mm x 2.0mm x 0.65mm)
电源电流:典型值为 9μA
响应时间:小于 2μs
TMAG5110B2AQDBVRQ1 具有以下显著特性:
1. 极低的静态电流消耗,非常适合便携式设备或需要长时间运行的应用。
2. 高集成度设计,减少了外部元件的需求,从而简化了电路设计并节省了 PCB 空间。
3. 强大的抗电磁干扰能力,能够在嘈杂的电气环境中保持稳定性能。
4. 内置诊断功能,可实时监测芯片的工作状态,提高系统的安全性与可靠性。
5. 支持多种磁场强度范围设置,用户可以根据具体需求灵活配置。
该芯片广泛应用于各类工业及消费电子领域,包括但不限于:
- 汽车行业中的旋转编码器和转速计
- 无刷直流电机的换向控制
- 家电产品的位置检测和速度监控
- 智能手机及平板电脑中的接近感应模块
- 工业自动化设备中的非接触式开关和液位传感器
TMAG5120A1AQDBVRQ1