TMA4440DJ-TC 时间：2025/7/28 11:34:06 阅读：6

TMA4440DJ-TC是一款由东芝（Toshiba）制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率电源管理和功率转换应用设计。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和优良的热性能，适用于DC-DC转换器、同步整流、负载开关以及电池管理系统等应用场景。TMA4440DJ-TC采用小型化的表面贴装封装（SOP Advance），有助于节省PCB空间并提高系统集成度。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：4.4A
　　导通电阻(Rds(on))：最大30mΩ @ Vgs=10V
　　功耗(Pd)：1.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOP Advance

特性

TMA4440DJ-TC采用了东芝先进的沟槽式MOSFET技术，显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗并提高了整体效率。其低Rds(on)特性使其在高电流应用中表现出色，能够有效降低功率损耗并减少发热。该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V驱动电压，同时具备良好的抗雪崩能力和过载保护性能。TMA4440DJ-TC的封装设计优化了散热性能，能够在高功率密度环境下保持稳定运行。此外，其小型化封装有助于简化PCB布局，提高整体系统的可靠性和集成度。
　　在可靠性方面，TMA4440DJ-TC通过了严格的工业级测试，具备优异的耐久性和稳定性，能够在恶劣的工作环境下长期运行。其内部结构设计也有助于降低开关损耗，提高动态响应速度，适合用于高频开关应用。