类型：光继电器（MOSFET输出）
　　通道数：1
　　封装形式：SOP-6（表面贴装）
　　输入正向电流（IF）：50mA
　　输入反向电压（VR）：5V
　　输出耐压（VDS）：90V
　　连续通态电流（ID）：1.2A
　　导通电阻（RON）：典型值1Ω，最大值1.5Ω
　　隔离电压（Viso）：5000Vrms
　　响应时间（Turn-ON）：典型值0.8ms
　　响应时间（Turn-OFF）：典型值0.5ms
　　工作温度范围：-40°C 至 +110°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　LED波长：约850nm
　　绝缘材料：聚酰亚胺（Polyimide）隔离层

TM90EZ-H的核心技术基于东芝先进的光耦合MOSFET设计，利用输入侧红外LED发出的光触发输出侧的光电探测器阵列，进而驱动功率MOSFET的栅极，实现负载的接通与断开。这种结构无需外部偏置电源即可完成MOSFET的驱动，简化了电路设计并降低了功耗。由于采用全固态结构，器件没有可移动部件，因此具备极高的抗振动和冲击能力，非常适合在恶劣环境中长期运行。
　　该器件的一个显著特点是其低导通电阻（RON），典型值仅为1Ω，这使得在传导大电流时产生的热量较少，提高了能效并减少了散热需求。同时，较低的RON有助于减小电压降，确保负载端获得接近电源电压的有效电平，这对于电池供电或低电压系统尤为重要。此外，TM90EZ-H具有出色的电气隔离性能，高达5000Vrms的隔离电压使其能够在高压与低压电路之间提供可靠的安全屏障，符合多种国际安全标准（如UL、CSA、VDE等）。
　　响应速度方面，TM90EZ-H表现出优异的动态性能，开通时间仅需0.8ms，关断时间更短至0.5ms，远优于传统电磁继电器的毫秒级甚至数十毫秒级响应。这一特性使其适用于高频切换应用，例如自动测试设备（ATE）中的信号切换或多路复用系统。另外，由于其输出端为MOSFET结构，不存在极性限制，可以双向导通，支持交流或直流负载控制，增强了应用灵活性。
　　在可靠性方面，TM90EZ-H经过严格的老化测试和质量管控，具备长达数亿次的操作寿命，远超机械继电器的百万次级别。同时，其抗噪声能力强，不会产生电磁干扰（EMI），也不会受到外部磁场影响，有利于构建高精度、低噪声的电子系统。器件还具备良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定的电气性能，适合部署于密闭或通风不良的设备内部。

TM90EZ-H广泛应用于需要高可靠性和长寿命开关功能的电子系统中。在工业自动化领域，它常被用于PLC（可编程逻辑控制器）、I/O模块和传感器接口电路中，作为执行器或信号路径的控制开关，替代传统的电磁继电器以提升系统稳定性并减少维护成本。在测试与测量设备中，如自动测试仪（ATE）、数据采集系统和多路复用器，TM90EZ-H因其快速响应和低导通电阻而成为理想选择，可用于精确切换模拟或数字信号路径，确保测试结果的准确性。
　　在通信设备中，该器件可用于线路切换、电源管理单元或保护电路，实现远程控制和故障隔离功能。由于其高隔离电压特性，也适合用于医疗电子设备，如病人监护仪、诊断仪器等，满足严格的电气安全要求，防止漏电流对人体造成危害。此外，在消费类电子产品和楼宇自动化系统中，TM90EZ-H可用于智能电源插座、照明控制模块或安防系统中的继电控制部分，提供静音、无火花的操作体验。
　　在电池管理系统（BMS）或新能源设备中，TM90EZ-H可用于电池组的充放电控制回路，实现对单体电池或模块的连接与断开操作。其低功耗特性和高效率有助于延长整体系统的续航时间。总之，凡是需要安全隔离、频繁操作、高稳定性的开关场景，TM90EZ-H都是一个极具竞争力的解决方案。

TLP354A,TLP357A,PS25605D