TM60DZ-H是一款由台湾天钰科技(Fitipower Integrated Technology)推出的高性能、低功耗的电源管理集成电路(PMIC),主要面向中小功率AC-DC电源转换应用,广泛用于消费类电子产品中。该芯片集成了多种保护机制与智能控制功能,适用于充电器、适配器、LED照明电源以及家用电器等设备的电源系统设计。TM60DZ-H采用准谐振(Quasi-Resonant, QR)反激式控制架构,在保证高效率的同时有效降低电磁干扰(EMI),提升系统整体可靠性。其内置高压启动电路,可实现快速启动并减少外部元件数量,有助于简化电源设计并降低成本。此外,该芯片具备多模式运行能力,能够在不同负载条件下自动切换工作模式,如脉冲频率调制(PFM)和脉宽调制(PWM),从而在整个负载范围内维持高能效表现,满足能源之星及DoE VI等国际能效标准要求。
型号:TM60DZ-H
封装形式:SOP-8
工作电压范围:10V ~ 22V
启动电流:<5μA
待机电流:<100μA
开关频率:典型值65kHz,可变频
控制模式:准谐振反激控制
集成MOSFET:内置600V耐压功率MOSFET
输出功率能力:最大支持约60W连续输出
反馈方式:电流模式控制,带FB引脚电压采样
保护功能:过载保护(OLP)、过压保护(OVP)、过温保护(OTP)、前沿消隐(LEB)
工作温度范围:-40°C ~ +125°C
引脚数量:8
符合安规标准:满足IEC62368等安全规范要求
TM60DZ-H的一大核心特性是其准谐振(QR)控制技术,该技术通过检测变压器退磁结束时刻来实现零电压开关(ZVS),显著降低了开关损耗,提升了转换效率,并有效抑制了高频噪声。这种软开关机制特别适用于中高功率密度电源设计,能够帮助工程师在有限空间内实现更高性能的电源解决方案。芯片内部集成了600V高压MOSFET,省去了外接功率管的需求,不仅减少了PCB布局复杂度,还增强了系统的抗干扰能力和长期稳定性。同时,高压启动电路直接从整流母线取电,可在无需辅助绕组的情况下完成快速启动,进一步简化了外围电路。
该器件支持多模式智能调控策略,在满载或重载时运行于QR-PWM模式以确保高效稳定;在轻载或空载时自动切换至突发模式(Burst Mode)或跳频模式,大幅降低开关频率和驱动损耗,从而实现极低的待机功耗,通常可控制在30mW以下,完全符合全球日益严格的节能法规要求。此外,TM60DZ-H内置全面的保护机制,包括逐周期电流限制、过压锁定(OVP)、过温关断(OTP)、开环保护以及自动恢复功能,能够在异常工况下及时切断输出,防止元器件损坏,保障用户设备安全。芯片还具备优秀的动态响应能力,即使在负载突变情况下也能保持输出电压稳定,适用于对电源质量要求较高的应用场景。值得一提的是,其SOP-8小型封装形式兼顾散热性能与安装便利性,适合自动化贴片生产,广泛应用于各类紧凑型电源产品中。
TM60DZ-H广泛应用于多种需要高效、可靠AC-DC电源转换的场合。常见用途包括手机、平板电脑和其他便携设备的充电器设计,尤其是5V/2A至12V/5A范围内的USB PD或QC快充适配器。由于其内置MOSFET和高集成度特性,非常适合用于构建无Y电容(Y-capless)或原边反馈(PSR)结构的电源方案,这有助于通过安规认证并降低成本。此外,该芯片也常用于LED恒压驱动电源,为室内照明、灯条、面板灯等提供稳定的直流电压输出。在家用电器领域,如智能音箱、路由器、摄像头、小家电控制器等嵌入式电源模块中,TM60DZ-H凭借其低待机功耗和高可靠性成为理想选择。工业控制设备中的辅助电源、电表电源模块以及IoT终端设备的供电单元同样可以采用此芯片进行设计。得益于其良好的EMI性能和宽输入电压适应能力,TM60DZ-H可在全球通用交流输入(85VAC~265VAC)环境下稳定运行,适用于出口型电子产品开发。此外,该芯片还可用于电池充电管理系统、无线充电底座以及小型电动工具的电源适配器中,展现出广泛的适用性和市场兼容性。
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