TM5RE4-88 时间：2025/9/4 7:12:48 阅读：33

TM5RE4-88是一种由Toshiba（东芝）公司制造的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），通常用于高效率的功率转换和开关应用。这种晶体管的设计优化了导通电阻和开关损耗，使其在需要高电流和快速开关的环境中表现优异。由于其优异的性能特性，TM5RE4-88在工业电子、电源管理和汽车电子系统中得到了广泛应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　漏极电流（Id）：100A
　　导通电阻（Rds(on)）：约8.8mΩ（最大）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：约2.0V至4.0V
　　功率耗散（Pd）：200W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220
　　晶体管配置：单晶体管

特性

TM5RE4-88的主要特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），这有助于降低功率损耗并提高整体系统效率。这种低电阻特性使其非常适合用于高电流应用，例如直流-直流转换器、电机控制和负载开关。此外，该MOSFET具有高耐压能力，额定漏源电压为30V，使其能够在相对较高的电压下可靠运行。
　　另一个重要特性是其高电流处理能力，最大漏极电流可达100A。这一特性使TM5RE4-88适用于需要高功率输出的应用，如电动工具、电动汽车系统和大功率电源。此外，该器件的热阻较低，有助于在高负载条件下保持良好的热稳定性，从而延长使用寿命。
　　该MOSFET采用TO-220封装，这种封装形式具有良好的散热性能，并且易于安装在散热片上，以进一步提高热管理效率。TO-220封装广泛用于工业应用，因其机械强度高且适合通孔安装（THT），适用于各种印刷电路板（PCB）设计。
　　此外，TM5RE4-88具备快速开关特性，能够在高频率下运行，减少开关损耗并提高系统响应速度。这一特性对于需要高频操作的电源转换器（如开关电源、同步整流器等）尤为重要。

应用

TM5RE4-88广泛应用于多个领域，包括但不限于电源管理系统、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、直流-直流转换器、负载开关和工业自动化设备。由于其高电流处理能力和低导通电阻，它在高功率电源转换器中表现出色，例如用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）和电池供电设备。
　　在汽车电子领域，该MOSFET可用于车载充电器、电动车电机控制器和车身电子系统。其高可靠性和宽工作温度范围确保其在严苛环境下稳定运行。此外，它还常用于工业自动化系统中的继电器替代和负载控制，提供更高效的开关解决方案。
　　在消费电子方面，TM5RE4-88也适用于高性能电源管理模块，例如用于笔记本电脑、平板电脑和大功率LED照明系统的电源调节电路。