类型：光电晶体管输出光耦
　　通道数：1
　　正向电压（VF）：典型值1.2V，最大值1.4V（IF=16mA）
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　发射极-集电极电压（VECO）：7V
　　集电极电流（IC）：50mA
　　功率耗散（PC）：150mW
　　工作温度范围：-55°C ~ +110°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +125°C
　　隔离电压（Viso）：5000VRMS（1分钟）
　　电流传输比（CTR）：50%～600%（IF=5mA, VCE=5V）
　　上升时间（tr）：3μs（典型值）
　　下降时间（tf）：3μs（典型值）
　　封装形式：DIP-4
　　引脚数：4

TM55RZ-2H光耦合器的核心特性之一是其优异的电气隔离性能。该器件能够在输入侧的发光二极管与输出侧的光电晶体管之间提供高达5000VRMS的隔离电压，有效防止高电压或噪声干扰从一侧传导至另一侧，从而保护低压控制电路免受高压侧故障的影响。这种高隔离能力使其非常适合用于开关电源、逆变器、电机驱动器等存在较大电压差的系统中。此外，由于采用了红外LED与硅光电晶体管的组合结构，该光耦在较宽的温度范围内均能保持稳定的性能表现，即使在极端环境下也能可靠工作。
　　另一个显著特点是其较高的电流传输比（CTR），典型范围为50%至600%，这意味着当输入端流过一定电流时，输出端能够产生相应比例的集电极电流，从而实现高效的信号传递。高CTR有助于降低驱动电流需求，减少功耗，并提升系统的整体能效。同时，该器件具有较快的响应速度，上升和下降时间均为3微秒左右，虽然不适用于极高频率的信号传输，但对于大多数工业控制和电源反馈回路已足够使用。
　　TM55RZ-2H还具备良好的抗干扰能力和长期稳定性。其内部结构经过优化设计，能够有效抑制电磁干扰（EMI）和共模瞬变干扰，确保信号传输的准确性。封装材料符合UL和VDE等国际安全标准，满足多种应用场景下的安规要求。此外，该器件采用无铅（Pb-free）环保工艺制造，符合RoHS指令，适用于现代绿色电子产品设计。其DIP-4封装形式不仅便于手工焊接和自动化贴装，也方便进行PCB布局和散热管理。

TM55RZ-2H广泛应用于各类需要电气隔离的电子系统中。在开关电源（SMPS）领域，常被用作反馈回路中的隔离元件，将次级侧的电压或电流信号传送到初级侧的PWM控制器，以实现闭环稳压控制，同时避免高压对控制芯片造成损害。在工业自动化控制系统中，该光耦可用于PLC（可编程逻辑控制器）的输入/输出模块，实现传感器信号的隔离采集或继电器驱动信号的隔离输出，提高系统的抗干扰能力和安全性。
　　在电机驱动和逆变器设备中，TM55RZ-2H可用于隔离控制信号与功率桥臂之间的通信，防止因功率侧的高压尖峰或地线环路干扰影响控制逻辑的正常运行。此外，在通信接口电路中，如RS-485、CAN总线等，也可利用该光耦实现信号隔离，增强系统的抗噪能力和通信稳定性。
　　家用电器如空调、洗衣机、电磁炉等内部的微控制器与强电部分之间通常也需要隔离，TM55RZ-2H因其成本低、性能稳定而成为理想选择。在医疗电子设备中，尽管对隔离要求更高，但在非直接接触人体的辅助电路中也可使用此类光耦进行基础隔离。总之，只要涉及高低压混合供电、噪声敏感或需要信号单向传输的场景，TM55RZ-2H都能发挥重要作用。

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