类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：30A
　　最大漏源电压：60V
　　导通电阻：0.043Ω（最大）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220
　　功率耗散：100W

TM5130P MOSFET具有多个显著的电气和物理特性，使其适用于广泛的应用场景。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著减少导通损耗，提高系统的整体效率。这在高电流应用中尤为重要，因为它有助于降低发热并提升可靠性。此外，TM5130P支持高达30A的漏极电流，使其能够驱动较大负载，例如直流电机、LED灯组和电源转换模块。
　　其次，该器件具有高达60V的漏源击穿电压，适用于中等电压等级的电源设计，例如电池供电设备和DC-DC转换器。其TO-220封装形式具备良好的散热性能，能够在较高功率下稳定运行，同时易于安装在标准散热片上，进一步增强热管理能力。
　　另外，TM5130P的栅极驱动电压范围较宽，通常在4.5V至20V之间工作，兼容多种控制电路，包括微控制器和专用驱动IC。这种灵活性使得该MOSFET在各种电路拓扑中都能发挥作用，例如H桥、开关电源和负载开关等。此外，该器件的高可靠性设计使其在恶劣环境下也能保持稳定运行，例如高温或高振动的工业和汽车应用。

TM5130P的应用领域广泛，主要涵盖中高功率电子系统。在工业自动化方面，它常用于PLC（可编程逻辑控制器）中的负载开关、电机驱动电路以及电源管理模块。由于其高电流能力和低导通损耗，它也广泛用于电源转换器，例如DC-DC降压或升压变换器，以及不间断电源（UPS）系统。
　　在汽车电子领域，TM5130P可用于车身控制系统，例如车窗升降器、座椅调节器和风扇控制模块。此外，它也适用于电动车的电池管理系统（BMS）和车载充电器，确保高效率和可靠性的电力传输。
　　消费类电子产品方面，该MOSFET可用于高功率LED照明系统、智能家电（如空调和洗衣机）中的电机控制以及电池充电设备。由于其封装形式易于安装和维护，TM5130P在DIY电子项目和原型开发中也受到欢迎。

IRFZ44N, STP30NF06L, FDP3030BL, SiHH30N60EF