TM50RZ-H 时间：2025/12/28 3:48:23 阅读：8

TM50RZ-H是一款由台湾半导体公司TSC（Taishan Components）生产的高性能、低功耗的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及各类高效率开关电源系统中。该器件采用先进的沟槽式栅极技术，结合优化的硅片设计，实现了较低的导通电阻（RDS(on)）和快速的开关特性，能够在高频率工作条件下保持较高的能效。TM50RZ-H属于N沟道增强型MOSFET，适用于中高功率应用场景，具有良好的热稳定性和可靠性。其封装形式通常为TO-220或TO-220F，具备良好的散热性能，适合在工业级温度范围内（-55°C至+150°C）稳定运行。该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适用于现代绿色电子产品的设计需求。由于其优异的电气特性和成本效益，TM50RZ-H被广泛用于消费类电子产品、工业控制设备、LED驱动电源及新能源系统中。

参数

型号：TM50RZ-H
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：500V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：7A（@TC=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：28A
　　导通电阻（RDS(on)）：≤0.48Ω（@VGS=10V）
　　阈值电压（VGS(th)）：2.0V～4.0V
　　输入电容（Ciss）：1100pF（@VDS=25V）
　　输出电容（Coss）：350pF（@VDS=25V）
　　反向恢复时间（trr）：55ns
　　最大功耗（PD）：125W（@TC=25°C）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C～+150°C
　　封装形式：TO-220/TO-220F

特性

TM50RZ-H具备优异的导通与开关性能，其核心优势在于采用了先进的沟槽式MOSFET结构，显著降低了单位面积下的导通电阻，从而在大电流应用中有效减少导通损耗，提升整体系统效率。该器件的RDS(on)在VGS=10V时典型值仅为0.48Ω，确保在高负载条件下仍能维持较低的温升，延长器件寿命并提高系统可靠性。此外，其高达500V的漏源击穿电压使其适用于多种高压开关电源拓扑结构，如反激式（Flyback）、正激式（Forward）和LLC谐振变换器等。
　　该MOSFET的栅极电荷（Qg）较低，典型值约为50nC，这意味着在高频开关应用中所需的驱动功率较小，有利于简化驱动电路设计并降低驱动损耗。同时，其输入和输出电容经过优化，有助于减少开关过程中的能量损耗，提升转换效率。反向恢复时间（trr）控制在55ns以内，有效降低了体二极管在关断时的反向恢复电荷，减少了开关瞬态过程中的电压尖峰和电磁干扰（EMI），提升了系统的电磁兼容性。
　　在热管理方面，TM50RZ-H采用TO-220封装，具有较大的铜片面积和良好的热传导路径，能够有效将内部产生的热量传导至散热器或PCB上，确保在长时间高负荷运行下的稳定性。器件通过了严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）和功率循环测试，确保在严苛工业环境下的长期稳定运行。此外，该器件具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过压条件下提供一定的自我保护能力，增强了系统的鲁棒性。

应用

TM50RZ-H广泛应用于多种电力电子系统中，尤其适用于需要高效能、高可靠性的开关电源设计。常见应用包括AC-DC开关电源适配器、LED恒流驱动电源、光伏逆变器中的DC-DC升压或降压电路、工业电机驱动控制模块以及UPS不间断电源系统。由于其500V的高耐压特性，该器件特别适合用于离线式电源设计，可直接接入整流后的市电母线电压，在反激式或正激式拓扑中作为主开关管使用，实现高效的能量转换。
　　在消费类电子产品中，TM50RZ-H可用于笔记本电脑、显示器、智能电视等设备的内置电源模块，提供稳定的直流电压输出。在工业自动化领域，该器件可用于PLC控制器、伺服驱动器和传感器供电单元中，满足对电源效率和长期运行稳定性的要求。此外，在新能源领域，如太阳能充电控制器和小型风力发电系统的MPPT（最大功率点跟踪）电路中，TM50RZ-H也能发挥其低导通损耗和高耐压的优势，提升能源转换效率。
　　由于其良好的热性能和紧凑的封装尺寸，TM50RZ-H也适用于空间受限但对散热有较高要求的应用场景。例如，在高密度电源模块或嵌入式系统中，可通过PCB布局优化实现有效的自然散热，无需额外增加复杂的冷却装置。同时，该器件支持自动化贴装工艺，适用于SMT生产线，提高了生产效率和产品一致性。