您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > TM2302GN

TM2302GN 发布时间 时间:2025/7/22 16:34:39 查看 阅读:5

TM2302GN是一款由东芝(Toshiba)公司生产的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)驱动器集成电路,广泛用于开关电源、电机控制、LED照明以及DC-DC转换器等应用中。该器件采用双通道设计,可提供高边和低边的MOSFET驱动能力,支持半桥和全桥拓扑结构。TM2302GN具有较高的工作电压范围、快速的响应时间和内置的死区时间控制功能,能够有效防止上下桥臂直通现象,提高系统的稳定性和效率。

参数

类型:MOSFET驱动器
  通道数:2通道(双通道)
  配置:高边/低边驱动
  工作电压范围:10V ~ 30V
  输出电流能力:高端:2A,低端:2A(典型值)
  死区时间调节:支持
  传播延迟:典型值100ns
  上升/下降时间:典型值40ns / 30ns(18V电源)
  封装类型:16引脚SSOP
  工作温度范围:-40°C ~ +125°C

特性

TM2302GN具有多个关键特性,适用于各种高功率开关应用。首先,它支持宽范围的工作电压(10V至30V),使其适用于多种电源设计。其双通道驱动能力能够分别驱动高边和低边MOSFET,适用于半桥或全桥结构,广泛用于电机驱动、逆变器和DC-DC转换器中。
  该驱动器内置死区时间调节功能,有助于防止上下桥臂MOSFET同时导通所导致的直通电流,从而提高系统可靠性和效率。其快速的传播延迟时间(典型值100ns)和短上升/下降时间(40ns和30ns)使其适用于高频开关应用,提高整体系统效率。
  

应用

TM2302GN广泛应用于多种功率电子系统中,尤其是在需要高效MOSFET驱动的场合。常见应用包括无刷直流电机(BLDC)驱动器、电动车控制器、工业伺服电机驱动、开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、LED照明调光系统、太阳能逆变器以及各类电源管理模块。
  由于其高边/低边双通道驱动能力和内置死区时间控制,TM2302GN特别适用于H桥结构的电机控制和逆变器设计。在汽车电子领域,它也常用于车载电源转换系统和电动助力转向(EPS)控制器中。此外,在工业自动化系统中,该器件可用于驱动功率MOSFET以实现高精度的电机控制和负载切换。

替代型号

UCC27524A, IRS2104S, LM5101B, TC4420

TM2302GN推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价