类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：20V
　　最大栅源电压（Vgs）：±12V
　　最大连续漏极电流（Id）：4A
　　导通电阻（Rds(on)）：50mΩ（典型值）
　　最大功耗（Ptot）：1.4W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：SOT-23

TM221C40T MOSFET 具有以下主要特性：
　　1. **低导通电阻（Rds(on)）**：50mΩ 的低导通电阻使得该器件在高电流应用中能够有效降低功率损耗，提高系统效率。
　　2. **高电流能力**：可支持最大4A的连续漏极电流，适用于中等功率的开关应用。
　　3. **快速开关特性**：由于采用先进的沟槽栅技术，TM221C40T具有较快的开关速度，适合用于高频开关电路，如DC-DC转换器和同步整流器。
　　4. **良好的热性能**：SOT-23封装具有良好的散热性能，确保器件在高负载条件下仍能保持稳定运行。
　　5. **宽工作温度范围**：支持-55°C至150°C的工作温度范围，适用于工业级和汽车电子应用环境。
　　6. **静电放电（ESD）保护**：该器件具备一定的ESD耐受能力，提升了在实际使用中的可靠性。
　　7. **小尺寸封装**：SOT-23封装节省PCB空间，适合紧凑型设计。

TM221C40T 主要应用于以下领域：
　　1. **电源管理**：如DC-DC降压/升压转换器、负载开关和电源分配系统。
　　2. **电池管理系统**：用于便携式设备中的电池充放电控制和保护电路。
　　3. **工业控制**：用于电机驱动、继电器替代和自动化控制电路中的开关元件。
　　4. **消费电子产品**：如智能手机、平板电脑、智能手表等设备中的电源开关和负载管理。
　　5. **汽车电子**：用于车载充电系统、LED照明驱动和车身控制模块。
　　6. **传感器和执行器控制**：作为低边或高边开关用于控制各种传感器和执行器。

SI2302DS-T1-GE3, FDN304P, BSS138K