品牌：晶丰明源（BPSEMI）
　　型号：TM10T3B-H
　　封装类型：SOP-8
　　工作温度范围：-40℃ ~ +125℃
　　最大工作电压：VDD = 20V
　　启动电流：<5μA
　　工作电流：≈3.5mA（典型值）
　　振荡器频率：≈65kHz（典型值）
　　反馈输入电压（FB引脚）：≈2.5V（基准电压）
　　占空比限制：最大约80%
　　内置高压启动：支持
　　保护功能：过载保护（OLP）、过压保护（OVP）、过温保护（OTP）、前沿消隐（LEB）
　　调制方式：电流模式PWM
　　驱动能力：图腾柱输出，最大灌电流/拉电流 ≈0.5A

TM10T3B-H采用电流模式控制架构，提供优异的动态响应性能和环路稳定性，能够实时监测原边电感电流并通过PWM调节实现精确的输出恒流与恒压控制。其内部集成了高精度参考电压源和误差放大器，配合外部反馈网络可实现±3%以内的输出电压精度和±5%以内的输出电流精度，满足多数民用及工业级应用的需求。芯片内置的高压启动单元可在上电后直接从高压母线取电完成VDD电容的充电，省去了传统方案中的启动电阻，不仅减少了元件数量和PCB空间占用，还显著降低了空载或轻载时的待机损耗，提升了能源利用效率。
　　为了增强系统可靠性，TM10T3B-H配备了完善的多重保护机制。当检测到输出过载或短路时，芯片会自动进入打嗝模式（Hiccup Mode），周期性地尝试重启，避免持续高温损坏功率器件；过压保护通过监控FB引脚电压或辅助绕组信号实现，防止因反馈回路故障导致输出电压失控；过温保护则基于芯片内部温度传感器，在结温超过安全阈值时自动关闭输出驱动，待温度下降后恢复正常工作。此外，前沿消隐技术有效抑制了MOSFET开通瞬间产生的尖峰干扰对电流采样信号的影响，提高了系统的抗噪声能力和测量准确性。
　　该芯片支持全电压输入范围（85VAC~265VAC）下的稳定工作，适用于全球通用输入的电源适配器设计。其低启动电流和轻载条件下的频率折返（Frequency Foldback）技术进一步优化了轻载效率，符合国际能效标准如DoE Level VI和Energy Star的要求。SOP-8封装具有良好的热性能和电气隔离特性，适合自动化贴片生产，有利于提高制造良率和产品一致性。

TM10T3B-H主要应用于中小功率开关电源领域，尤其适用于LED驱动电源、手机充电器、家电辅助电源、智能家居设备供电模块以及IoT终端适配器等场景。由于其具备高集成度、低待机功耗和稳定的恒流恒压输出特性，特别适合用于替换传统的非隔离型RCC（Ring Choke Converter）结构或分立元件搭建的初级侧控制电路，从而简化系统设计、降低成本并提升整体可靠性。在LED照明应用中，该芯片可通过原边反馈（PSR）方式精准控制输出电流，无需次级反馈光耦和TL431基准源，大幅减少外围元件数量，提高系统寿命和安全性。同时，它也广泛用于USB充电端口、无线路由器、电子门铃、烟雾报警器等消费类电子产品中的离线式小功率AC-DC转换模块。得益于其出色的电磁兼容（EMC）表现和稳定的控制逻辑，TM10T3B-H还能适应较为严苛的电磁环境，适合在密集布线或多干扰源共存的设备中长期稳定运行。

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