类型：光继电器（Photo MOS Relay）
　　输入类型：红外LED
　　输出类型：双通道常开（Normally Open）MOSFET
　　通道数：2
　　最大负载电压（VOFF）：60V（DC）
　　最大连续负载电流（IO）：1.2A per channel
　　峰值负载电流（IOPK）：3.6A
　　导通电阻（RON）：典型值 80mΩ，最大值 120mΩ
　　输入触发电流（IFON）：5mA（典型值）
　　关断电流（IFOFF）：0.5mA（最大值）
　　隔离电压（Viso）：5000Vrms（1分钟，AC）
　　工作温度范围：-30°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　响应时间（Turn-on time）：典型值 0.5ms
　　关断时间（Turn-off time）：典型值 0.5ms
　　封装形式：DIP-8 或类似宽体封装
　　认证标准：符合UL、cUL、VDE、BSI等安全认证

TM100DZ-2H光继电器的核心特性之一是其基于Photo-MOS技术的无触点开关机制，这使其具备远超传统电磁继电器的使用寿命，通常可达数十亿次操作，且不会出现触点磨损、弹跳或氧化等问题。该器件内部集成了一个高效率红外LED与两个独立的功率MOSFET输出结构，构成双通道常开开关，允许同时控制两个独立负载电路。其输出端采用VMOS晶体管结构，能够在低导通电阻下承载相对较高的电流，典型RON仅为80mΩ，显著降低导通损耗和温升，提高系统能效。
　　另一个关键特性是其高电气隔离能力，输入与输出之间可承受高达5000Vrms的隔离电压，确保在高压环境或噪声干扰较强的工业应用中提供可靠的安全保护。此外，该器件具有快速响应能力，开通和关断时间均在0.5毫秒左右，适用于需要快速切换的自动测试设备或数据采集系统。
　　TM100DZ-2H还具备良好的抗干扰性能和稳定性，不受外部磁场影响，适合在复杂电磁环境中稳定运行。其输入驱动电流低至5mA即可完全导通，兼容TTL、CMOS逻辑电平，便于直接由微控制器或数字IC驱动，无需额外的驱动电路。器件工作温度范围宽达-30°C至+85°C，适应严苛的工业环境。封装采用阻燃材料（如UL94V-0等级），并经过气密性处理，提高了长期使用的可靠性。

TM100DZ-2H广泛应用于多种需要高可靠性、小体积和长寿命开关功能的电子系统中。在工业自动化领域，它常用于可编程逻辑控制器（PLC）的I/O模块中，作为信号切换和负载控制元件，替代传统电磁继电器以提升系统稳定性和维护周期。在测试与测量设备中，如自动测试仪（ATE）、数据采集系统（DAQ）和精密仪器，该器件用于多路复用开关或传感器信号通断控制，因其低导通电阻和无触点特性可保证信号完整性。
　　在通信设备中，TM100DZ-2H可用于线路切换、电源管理或冗余通道选择，提供快速、安静且可靠的开关操作。医疗电子设备也大量采用此类光继电器，例如病人监护仪、诊断设备中的信号隔离与电源切换，得益于其高隔离电压和低漏电流特性，符合医疗安全标准。
　　此外，该器件还适用于电池管理系统（BMS）、安防系统、楼宇自动化、智能家居控制模块等场合，特别是在需要多通道独立控制、低功耗和静音操作的场景中表现出色。由于其兼容表面贴装和通孔安装工艺，TM100DZ-2H在现代电子产品设计中具有很高的灵活性和可制造性。

TLP176AM(Toshiba)
　　ASSR-5802(Broadcom/Avago)
　　TLP222G(Toshiba)
　　VOM621A(Vishay)