TLRME68TG 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率转换芯片,广泛应用于电源管理、工业驱动和新能源领域。该芯片集成了高频率开关功能与低导通电阻特性,从而在高频应用中实现了卓越的效率和紧凑的设计。
其设计目标是满足现代电子设备对小型化、高效能和高可靠性的需求。通过内置的智能保护机制和优化的热管理功能,TLRME68TG 能够在各种复杂的电气环境中稳定运行。
型号:TLRME68TG
额定电压:650V
额定电流:40A
导通电阻:12mΩ
最大开关频率:3MHz
工作温度范围:-40℃ 至 +150℃
封装形式:TO-247
TLRME68TG 的主要特点是采用先进的氮化镓材料制造工艺,这使其具备以下优势:
1. 高效能量转换:由于其极低的导通电阻和快速的开关速度,能够显著降低传导损耗和开关损耗。
2. 小型化设计:相比传统硅基 MOSFET,GaN 技术允许更高的开关频率,从而减少无源元件的体积,最终实现更小的整体解决方案。
3. 强大的散热性能:芯片内部经过优化的热路径设计确保了即使在高温环境下也能保持良好的稳定性。
4. 内置多重保护:包括过流保护、过温保护等功能,增强了系统可靠性。
5. 易于驱动:兼容标准栅极驱动信号,简化了外围电路设计。
该芯片适用于多种高性能电力电子应用领域:
1. 开关电源 (SMPS):如服务器电源、通信电源等。
2. 太阳能逆变器:
3. 电动汽车充电设备:
4. 工业电机驱动:用于高效变速控制。
5. LED 驱动器:提供稳定的电流输出以保证照明效果。
6. DC-DC 转换器:用于电池管理系统和其他便携式电子产品中。
IRGAN68T40,
STGME68L40,
TXNE68H40