类型：肖特基势垒二极管阵列
　　配置：双二极管共阴极（Common Cathode）
　　最大重复反向电压（VRRM）：30V
　　平均整流电流（IO）：1A（每二极管）
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A（8.3ms单半波）
　　最大正向电压（VF）：0.47V @ 1A, 25°C
　　最大反向漏电流（IR）：0.5μA @ 25V, 25°C
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SMA（DO-214AC）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　引脚数：2
　　热阻结至环境（RθJA）：150°C/W（典型值）
　　焊接峰值温度（根据J-STD-020）：260°C（最大30秒）

TLF10UAH1230R5具备优异的电学性能和热稳定性，其核心优势在于低正向导通压降与高速开关能力的结合。在正常工作条件下，该器件在1A电流下的最大正向压降仅为0.47V，显著低于传统PN结二极管，从而大幅降低功率损耗，提高整体电源转换效率。这一特性使其在低压大电流应用场景中表现尤为出色，例如DC-DC转换器的续流与箝位电路。此外，由于肖特基势垒结构本身不依赖少数载流子存储效应进行导通，因此不存在反向恢复时间（trr），开关速度极快，可有效抑制高频开关过程中产生的电压尖峰与电磁干扰（EMI），提升系统可靠性。
　　该器件采用SMA封装，外形紧凑，尺寸约为4.3mm x 2.4mm x 2.1mm，非常适合高集成度PCB布局需求。封装材料具有良好的机械强度和耐湿性，符合MSL1等级（湿度敏感度等级1），无需烘烤即可进行回流焊工艺，简化了生产流程。同时，器件内部连接结构经过优化设计，确保两个二极管之间的参数一致性，适用于需要对称性能的差分信号处理或双通道保护电路。
　　热管理方面，TLF10UAH1230R5的热阻结至环境为150°C/W，在标准FR-4 PCB布局下可有效散热，允许在-55°C至+125°C的宽结温范围内稳定运行，适应严苛的工业与汽车电子环境。其反向漏电流在高温环境下仍保持较低水平，有助于减少待机功耗。综合来看，该器件在效率、尺寸、可靠性和环保合规性之间实现了良好平衡，是现代高效能电子系统中的理想选择。

TLF10UAH1230R5广泛用于各类需要高效、小型化二极管解决方案的电子系统中。在电源管理领域，它常被用作同步整流辅助二极管、DC-DC降压/升压转换器中的续流二极管，以及反接保护电路中的隔离元件。由于其低VF特性，能显著提升低压输出电源的转换效率，尤其适用于电池供电设备如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等对能耗极为敏感的产品。
　　在信号处理电路中，该器件可用于高速逻辑电平箝位、ESD保护和噪声抑制，防止瞬态电压对敏感IC造成损害。其快速响应能力使其成为USB接口、音频线路和传感器信号路径中的理想保护元件。此外，在LED驱动电路中，TLF10UAH1230R5可用作防倒灌二极管，防止电流回流导致LED误亮或损坏。
　　工业自动化与通信设备中也常见其身影，例如PLC模块、工业传感器、网络路由器和交换机的电源部分。由于其符合AEC-Q101车规级可靠性测试标准的部分版本要求（需查证具体批次认证情况），该器件也可应用于非主功能车载系统，如车载信息娱乐系统、车身控制模块等。总之，凡是对体积、效率和可靠性有较高要求的中低电压应用场合，TLF10UAH1230R5均能提供稳定可靠的二极管解决方案。

MBR1100T1G
　　SS14
　　SB130