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TLE2072IDR 发布时间 时间:2025/7/28 12:31:40 查看 阅读:7

TLE2072IDR 是德州仪器(Texas Instruments)生产的一款双路、低噪声、高速JFET输入运算放大器。该器件采用先进的Excalibur工艺技术,结合了JFET输入级的高阻抗和低噪声特性以及双极型输出级的高驱动能力,适用于需要高精度和高带宽的模拟信号处理应用。TLE2072IDR 封装为8引脚SOIC,工作温度范围为工业级(-40°C至+85°C),适合工业和高性能消费类电子设备使用。

参数

类型:高速JFET输入运算放大器
  通道数:2
  电源电压范围:±4V至±18V
  带宽(-3dB):17MHz
  转换速率:12V/μs
  输入偏置电流:30pA(典型值)
  输入失调电压:1mV(最大值)
  噪声电压密度:10nV/√Hz(在1kHz)
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  封装类型:8引脚SOIC
  电源电流:每个通道8.5mA(典型值)

特性

TLE2072IDR 的核心优势在于其 JFET 输入级提供的极高输入阻抗(超过10^12Ω),这对于高阻抗传感器或前置放大器应用至关重要。其 17MHz 的带宽和 12V/μs 的转换速率使得该运放能够在高速信号处理中保持良好的线性度和稳定性。此外,该器件的低输入偏置电流(仅 30pA 典型值)可以显著减少在高阻抗源电阻下的误差,适用于光电二极管放大器、示波器前端和高精度测量仪器。
  该器件的输出级具有较强的驱动能力,能够在 1kΩ 负载下提供 ±25mA 的输出电流,同时在 ±15V 电源下仍能保持良好的压摆率性能。TLE2072IDR 的电源电流为每个通道 8.5mA,属于中等功耗水平,适合对功耗要求不极端但对性能要求较高的应用。
  此外,TLE2072IDR 在设计上具有良好的共模抑制比(CMRR)和电源抑制比(PSRR),使其在复杂电磁环境中仍能保持稳定的放大性能。它还具备过热保护功能,以防止在高温条件下损坏。

应用

TLE2072IDR 广泛应用于高精度、高速信号处理系统中。典型应用包括宽带放大器、有源滤波器、精密模拟前端、高速数据采集系统、测试与测量设备、示波器垂直放大器、光电探测器前置放大器以及音频和视频信号处理电路。由于其出色的低噪声和高带宽特性,TLE2072IDR 也常用于医疗设备、科学仪器和工业控制系统中的模拟信号调理电路。

替代型号

TLE2072IP、TLE2072CDR、LF353N、OPA2134、AD826

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TLE2072IDR参数

  • 标准包装2,500
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps
  • 系列Excalibur™
  • 放大器类型J-FET
  • 电路数2
  • 输出类型-
  • 转换速率45 V/µs
  • 增益带宽积10MHz
  • -3db带宽-
  • 电流 - 输入偏压20pA
  • 电压 - 输入偏移1100µV
  • 电流 - 电源3.1mA
  • 电流 - 输出 / 通道48mA
  • 电压 - 电源,单路/双路(±)4.5 V ~ 38 V,±2.25 V ~ 19 V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOIC
  • 包装带卷 (TR)