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TLA-3T112LF-T 发布时间 时间:2025/12/25 9:32:31 查看 阅读:28

TLA-3T112LF-T是一款由Taiwan Semiconductor(台湾半导体)生产的表面贴装型瞬态电压抑制二极管(TVS Diode),主要用于电路中的静电放电(ESD)保护和瞬态过电压防护。该器件采用小型SOD-123FL封装,具有低电容、快速响应时间和高可靠性等特点,适用于高速数据线和敏感电子元件的保护。TLA-3T112LF-T属于单向TVS二极管,能够在瞬间吸收高达数安培的浪涌电流,同时将钳位电压维持在安全水平,防止后级电路受到损坏。
  这款TVS二极管广泛应用于便携式消费类电子产品,如智能手机、平板电脑、笔记本电脑以及USB接口、HDMI端口、音频/视频线路等需要ESD防护的场合。其无铅且符合RoHS环保标准的设计也使其满足现代电子产品对绿色环保的要求。此外,TLA-3T112LF-T具备优良的热稳定性和长期工作稳定性,可在较宽的环境温度范围内可靠运行,是现代电子系统中实现IEC 61000-4-2 Level 4级别ESD保护的理想选择之一。

参数

类型:单向TVS二极管
  封装形式:SOD-123FL
  反向关态电压(VRWM):11V
  击穿电压(VBR):12.2V @ 1mA
  最大钳位电压(VC):18.2V @ 1A
  峰值脉冲电流(IPP):1A
  峰值脉冲功率(PPPM):30W
  漏电流(IR):≤1μA @ 9V
  电容值(Cj):典型值为55pF @ 0V
  工作结温范围(TJ):-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C
  ESD保护能力:符合IEC 61000-4-2 ±15kV(空气放电)、±8kV(接触放电)
  反向恢复时间:小于1ns

特性

TLA-3T112LF-T的核心特性之一是其优异的瞬态电压抑制能力,能够快速响应并有效吸收来自外部环境或操作过程中产生的静电放电(ESD)脉冲。当电路中出现高于其击穿电压(约12.2V)的瞬态电压时,该TVS二极管会立即从高阻态切换到低阻态,将过电压能量引导至地线,从而保护下游敏感器件不受损害。由于其单向结构设计,该器件适用于直流供电线路或仅需单极性保护的应用场景,例如电源输入端、I/O接口等。
  另一个关键特性是其低动态电阻与稳定的钳位性能,在1A的测试电流下,最大钳位电压仅为18.2V,确保被保护电路不会因过高电压而失效。同时,该器件拥有较低的结电容(典型值55pF),这一特点使其非常适合用于高频信号线路的保护,不会对信号完整性造成显著影响,保障了高速数据传输的稳定性与可靠性。
  此外,TLA-3T112LF-T采用SOD-123FL小型化表面贴装封装,外形紧凑,适合高密度PCB布局,有利于缩小整体产品体积。该封装还具备良好的散热性能,有助于提升器件在持续应力下的耐久性。器件本身通过AEC-Q101认证的可能性较高(具体需查证厂商资料),适用于对可靠性要求较高的工业与消费类应用。其无卤素(Halogen-Free)和符合RoHS指令的设计也满足当前全球环保法规要求,便于出口和批量生产使用。综合来看,TLA-3T112LF-T是一款高性能、高性价比的ESD保护解决方案。

应用

TLA-3T112LF-T主要应用于各类需要静电放电(ESD)保护的电子设备和接口电路中。常见应用场景包括便携式消费类电子产品中的USB 2.0数据线保护,其中D+和D-信号线容易受到人体接触带来的静电冲击,使用该TVS可有效防止控制器或主控芯片受损。同样适用于HDMI、DisplayPort等音视频接口的差分信号线保护,确保高清信号传输的同时具备抗干扰能力。
  在移动设备如智能手机、平板电脑中,该器件可用于按键、触摸屏控制器、摄像头模块、耳机插孔等子系统的电源或信号引脚保护,避免装配、维修或日常使用中产生的静电对内部IC造成损伤。此外,在工业控制设备、医疗仪器、通信模块等领域,凡是有暴露在外的连接器或用户可接触接口的地方,都建议部署此类TVS器件以提升系统EMC兼容性和长期运行可靠性。
  由于其具备IEC 61000-4-2 Level 4级别的抗静电能力(±15kV空气放电,±8kV接触放电),因此特别适合用于可能遭遇严酷电磁环境的产品设计中。它也可用于电源轨的次级保护,配合保险丝或自恢复PTC共同构成完整的过压与过流保护方案。总体而言,TLA-3T112LF-T是一款通用性强、安装便捷、响应迅速的保护元件,广泛服务于现代电子产品的安全防护需求。

替代型号

ESD5V3U1BA

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