型号：TKJB7C21A35LSN
　　类型：光耦合器
　　封装形式：DIP-6
　　隔离电压：5000Vrms
　　集电极-发射极电压：80V
　　最大集电极电流：150mA
　　输入电流（IF）：60mA
　　输出晶体管类型：达林顿光敏晶体管
　　工作温度范围：-40°C至+110°C

TKJB7C21A35LSN具有多项出色的性能特性。首先，其高达5000Vrms的隔离电压能够有效隔离高压侧与低压侧电路，确保系统安全性和操作人员安全。其次，该光耦内部采用达林顿结构的光敏晶体管，提供了较高的电流传输比（CTR），确保信号在传输过程中具有较低的失真和更高的可靠性。此外，该器件具有较强的抗干扰能力，能够在高噪声环境中稳定工作。
　　另一个关键特性是该光耦的宽工作温度范围（-40°C至+110°C），使其适用于各种恶劣环境条件下的工业应用。封装形式为DIP-6，便于安装在印刷电路板上，并与标准电路设计兼容。同时，其低输入驱动电流（IF）要求有助于降低整体功耗并提高能效。
　　在实际应用中，该光耦常用于驱动IGBT模块，特别是在变频器和伺服电机控制系统中，作为信号隔离和驱动电路之间的接口。其快速响应时间和较长的使用寿命也使其成为高可靠性要求应用中的理想选择。

TKJB7C21A35LSN主要应用于需要高电压隔离和稳定信号传输的工业电子系统。常见的应用领域包括交流伺服电机驱动器、变频器、UPS（不间断电源）、工业自动化控制设备、开关电源和电力转换系统。由于其高隔离电压和较强的抗干扰能力，该光耦特别适合用于驱动IGBT模块，并在高电压、高电流环境下提供可靠的信号隔离与传输。
　　此外，TKJB7C21A35LSN还可用于数字隔离器、隔离式ADC/DAC转换器、医疗电子设备以及通信设备中的信号隔离环节。在这些应用中，它不仅能够确保系统的电气安全，还能提升整体电路的稳定性和抗干扰能力。

TLP250, HCPL-3120, PC357N, AQV252