时间：2025/5/9 14:22:36
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TK8P65W.RQ是一款高效率的功率MOSFET芯片，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等场景。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和快速开关特性，能够在高频条件下保持高效性能。
其封装形式为TO-220，能够提供良好的散热性能以满足大功率应用需求。此外，该器件还具有优异的耐热性和抗静电能力，适用于多种工业和消费类电子产品。
最大漏源电压：65V
连续漏极电流：12A
导通电阻：0.03Ω
栅极电荷：4nC
总功耗：150W
工作温度范围：-55℃至175℃
1. 极低的导通电阻使得导通损耗显著降低，从而提升整体系统效率。
2. 快速的开关速度减少了开关损耗，并允许在高频条件下使用。
3. 具备出色的热稳定性，在长时间运行时能维持稳定性能。
4. 内置ESD保护功能，增强了器件的可靠性。
5. 符合RoHS标准，环保且适合现代电子产品的严格要求。
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. DC-DC转换器的核心功率元件。
3. 电机驱动电路中的功率控制。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 各种需要高效功率管理的场合。
IRFZ44N
STP12NF06
FDP16N65
