TK80S06K3L是一款高性能的功率MOSFET器件,广泛应用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等电力电子领域。该器件采用先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和优秀的热性能等特点,能够有效提升系统的效率和可靠性。
其封装形式通常为TO-220,这种封装不仅便于散热,还具有良好的电气连接性能,适合大电流应用环境。
型号:TK80S06K3L
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):80A
导通电阻(Rds(on)):4mΩ
栅极电荷(Qg):75nC
总功耗(Ptot):140W
工作温度范围:-55℃ to 175℃
1. 极低的导通电阻(Rds(on))使其在大电流应用中表现出色,能够显著降低传导损耗。
2. 高速开关能力使得它适用于高频电路设计,减少了开关损耗。
3. 具备强大的雪崩能力和鲁棒性,可以应对瞬态过压情况。
4. 内置反向二极管支持续流功能,非常适合电机驱动等需要双向电流的应用。
5. 封装形式为标准TO-220,易于集成到各种系统中,并且提供高效的散热路径。
6. 工作温度范围宽广,适应于极端环境下的工业和汽车应用。
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
2. DC-DC转换器的核心功率器件。
3. 电机驱动电路中的逆变桥臂或斩波器。
4. 电池保护及负载切换。
5. 汽车电子中的各种大电流控制模块。
6. 工业自动化设备中的功率调节和驱动单元。
IRFZ44N
STP80NF06
FDP8875