时间：2025/5/21 12:31:54
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TK72E12N1,S1X(S) 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率功率开关器件，属于增强型常关（E-Mode）晶体管。该器件采用了先进的半导体工艺，能够提供更高的开关频率、更低的导通电阻以及更小的封装尺寸，非常适合用于高频电源转换和射频应用。其卓越的性能使其在快充适配器、无线充电、LED驱动以及DC-DC转换器等应用中表现优异。
该型号设计时充分考虑了系统集成的需求，具有出色的可靠性和热稳定性，同时支持表面贴装工艺，便于大规模生产。
类型：增强型常关氮化镓场效应晶体管
导通电阻（Rds(on)）：120 mΩ
最大漏源电压（Vds）：650 V
最大栅极驱动电压（Vgs）：6 V
持续漏极电流（Id）：7 A
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
封装形式：S1X(S)
输入电容（Ciss）：1300 pF
输出电容（Coss）：180 pF
反向恢复时间（trr）：< 30 ns
1. 高效的氮化镓技术提供了显著优于传统硅基MOSFET的开关性能。
2. 极低的导通电阻有助于降低传导损耗，提升整体能效。
3. 小巧的封装设计节省了PCB空间，同时具备良好的散热性能。
4. 内置保护机制确保在过流、短路等异常情况下依然保持稳定运行。
5. 支持高达数兆赫兹的开关频率，适用于高频应用需求。
6. 与现有控制IC兼容性强，简化了设计流程。
7. 符合RoHS环保标准，满足全球市场的准入要求。
1. USB-PD快充适配器
2. 无线充电发射端模块
3. LED照明驱动电路
4. DC-DC转换器及PFC（功率因数校正费电子设备中的高效电源管理
6. 工业自动化领域的小型化电源解决方案
7. 高频逆变器和电池管理系统
