TK71750SIL-G是一款由Toshiba(东芝)公司生产的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高效率功率转换和开关应用。该器件采用先进的工艺制造,具备低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性,适用于各种高功率密度的电源系统。TK71750SIL-G采用SOP(Small Outline Package)封装,便于在PCB上安装,并提供良好的散热性能。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):100V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大连续漏极电流(Id):170A
导通电阻(Rds(on)):5.5mΩ(典型值)
最大功耗(Pd):200W
工作温度范围:-55°C至150°C
封装形式:SOP(表面贴装)
TK71750SIL-G具有多项出色的电气和热性能特性。首先,其低导通电阻(Rds(on))为5.5mΩ,能够显著降低导通损耗,提高系统效率。这一特性使其非常适合用于高电流应用,如DC-DC转换器、同步整流器和电机控制电路。
其次,该MOSFET支持高达170A的连续漏极电流,具备出色的电流承载能力,适用于高功率应用。其最大漏源电压为100V,适用于多种中高功率转换系统,如电源供应器、电池管理系统和工业自动化设备。
此外,TK71750SIL-G采用了先进的封装技术,具备良好的散热性能。SOP封装不仅节省空间,还提高了器件在高电流工作条件下的稳定性。其工作温度范围为-55°C至150°C,适用于严苛的工业环境。
TK71750SIL-G广泛应用于各类高功率电子设备中,主要包括:电源管理系统,如高效率DC-DC转换器、同步整流器和负载开关;工业自动化控制系统,如伺服电机驱动器和工业电源模块;以及消费类电子产品,如高性能电源适配器和充电器。
在新能源领域,该器件也常用于太阳能逆变器、储能系统和电动车电源管理系统。由于其高电流能力和低导通电阻,TK71750SIL-G特别适合需要高效率、高稳定性和高功率密度的场合。
此外,在电机控制和电池管理系统中,TK71750SIL-G可以作为高效的功率开关器件,提供稳定的电流控制和可靠的过载保护功能。
SiR178DP-T1-GE3, IPB017N10N3 G, FDP170N10A