时间：2025/9/14 10:15:23
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TK71750SIL-G是一款由Toshiba（东芝）公司生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率功率转换和开关应用。该器件采用先进的工艺制造，具备低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于各种高功率密度的电源系统。TK71750SIL-G采用SOP（Small Outline Package）封装，便于在PCB上安装，并提供良好的散热性能。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：100V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：170A
导通电阻(Rds(on))：5.5mΩ（典型值）
最大功耗(Pd)：200W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：SOP（表面贴装）
TK71750SIL-G具有多项出色的电气和热性能特性。首先，其低导通电阻（Rds(on)）为5.5mΩ，能够显著降低导通损耗，提高系统效率。这一特性使其非常适合用于高电流应用，如DC-DC转换器、同步整流器和电机控制电路。
其次，该MOSFET支持高达170A的连续漏极电流，具备出色的电流承载能力，适用于高功率应用。其最大漏源电压为100V，适用于多种中高功率转换系统，如电源供应器、电池管理系统和工业自动化设备。
此外，TK71750SIL-G采用了先进的封装技术，具备良好的散热性能。SOP封装不仅节省空间，还提高了器件在高电流工作条件下的稳定性。其工作温度范围为-55°C至150°C，适用于严苛的工业环境。
TK71750SIL-G广泛应用于各类高功率电子设备中，主要包括：电源管理系统，如高效率DC-DC转换器、同步整流器和负载开关；工业自动化控制系统，如伺服电机驱动器和工业电源模块；以及消费类电子产品，如高性能电源适配器和充电器。
在新能源领域，该器件也常用于太阳能逆变器、储能系统和电动车电源管理系统。由于其高电流能力和低导通电阻，TK71750SIL-G特别适合需要高效率、高稳定性和高功率密度的场合。
此外，在电机控制和电池管理系统中，TK71750SIL-G可以作为高效的功率开关器件，提供稳定的电流控制和可靠的过载保护功能。
SiR178DP-T1-GE3, IPB017N10N3 G, FDP170N10A
