TK50P03M1是一种高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等高效率电力转换场景。该器件采用了先进的沟槽式工艺技术,具有较低的导通电阻和优异的开关特性,能够显著提升系统的整体效率和稳定性。
TK50P03M1的设计注重低损耗和高可靠性,使其成为许多工业及消费电子领域中的理想选择。
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds):50V
最大栅源电压(Vgs):±20V
持续漏极电流(Id):30A
导通电阻(Rds(on)):3mΩ
总栅极电荷(Qg):80nC
输入电容(Ciss):3300pF
输出电容(Coss):650pF
开关速度:Fast
1. 采用沟槽式结构设计,提供超低的导通电阻Rds(on),从而减少导通损耗并提高系统效率。
2. 支持大电流操作,额定漏极电流高达30A,适合多种高功率应用场景。
3. 具有快速开关能力,总栅极电荷Qg较小,能够降低开关损耗。
4. 内部集成ESD保护电路,增强器件的抗静电能力,提高了其在恶劣环境下的可靠性。
5. 封装形式紧凑,便于PCB布局和散热管理。
6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器中的功率开关元件。
3. 电动工具、家用电器及其他设备中的电机驱动。
4. 汽车电子中的负载开关和保护电路。
5. 工业控制领域的逆变器和变频器。
6. 高效能量管理系统中的功率调节单元。
IRF540N
STP55NF06L
FDP55N06L