时间：2025/5/30 10:21:22
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TK50P03M1是一种高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等高效率电力转换场景。该器件采用了先进的沟槽式工艺技术，具有较低的导通电阻和优异的开关特性，能够显著提升系统的整体效率和稳定性。
TK50P03M1的设计注重低损耗和高可靠性，使其成为许多工业及消费电子领域中的理想选择。
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds)：50V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
持续漏极电流(Id)：30A
导通电阻(Rds(on))：3mΩ
总栅极电荷(Qg)：80nC
输入电容(Ciss)：3300pF
输出电容(Coss)：650pF
开关速度：Fast
1. 采用沟槽式结构设计，提供超低的导通电阻Rds(on)，从而减少导通损耗并提高系统效率。
2. 支持大电流操作，额定漏极电流高达30A，适合多种高功率应用场景。
3. 具有快速开关能力，总栅极电荷Qg较小，能够降低开关损耗。
4. 内部集成ESD保护电路，增强器件的抗静电能力，提高了其在恶劣环境下的可靠性。
5. 封装形式紧凑，便于PCB布局和散热管理。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器中的功率开关元件。
3. 电动工具、家用电器及其他设备中的电机驱动。
4. 汽车电子中的负载开关和保护电路。
5. 工业控制领域的逆变器和变频器。
6. 高效能量管理系统中的功率调节单元。
IRF540N
STP55NF06L
FDP55N06L
