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TK50P03M1 发布时间 时间:2025/5/30 10:21:22 查看 阅读:9

TK50P03M1是一种高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等高效率电力转换场景。该器件采用了先进的沟槽式工艺技术,具有较低的导通电阻和优异的开关特性,能够显著提升系统的整体效率和稳定性。
  TK50P03M1的设计注重低损耗和高可靠性,使其成为许多工业及消费电子领域中的理想选择。

参数

类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压(Vds):50V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  持续漏极电流(Id):30A
  导通电阻(Rds(on)):3mΩ
  总栅极电荷(Qg):80nC
  输入电容(Ciss):3300pF
  输出电容(Coss):650pF
  开关速度:Fast

特性

1. 采用沟槽式结构设计,提供超低的导通电阻Rds(on),从而减少导通损耗并提高系统效率。
  2. 支持大电流操作,额定漏极电流高达30A,适合多种高功率应用场景。
  3. 具有快速开关能力,总栅极电荷Qg较小,能够降低开关损耗。
  4. 内部集成ESD保护电路,增强器件的抗静电能力,提高了其在恶劣环境下的可靠性。
  5. 封装形式紧凑,便于PCB布局和散热管理。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. DC-DC转换器中的功率开关元件。
  3. 电动工具、家用电器及其他设备中的电机驱动。
  4. 汽车电子中的负载开关和保护电路。
  5. 工业控制领域的逆变器和变频器。
  6. 高效能量管理系统中的功率调节单元。

替代型号

IRF540N
  STP55NF06L
  FDP55N06L

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