类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：4A
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：38mΩ @ VGS=10V
　　功率耗散（PD）：2W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOP-8

TK2614M具有多项优异的电气和机械特性，适用于高性能功率管理应用。
　　首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗，提高系统整体效率。在VGS=10V时，RDS(on)仅为38mΩ，有助于减少发热，提高系统稳定性。
　　其次，该器件的漏源电压（VDS）为30V，漏极电流（ID）为4A，使其适用于中等功率级别的应用，如电池供电设备、DC-DC转换器和负载开关。此外，其栅源电压最大可达±20V，提高了栅极驱动的灵活性，适用于多种驱动电路设计。
　　再者，TK2614M采用SOP-8封装，具有良好的热管理性能和较小的PCB占用空间，适合高密度电路设计。其封装材料符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，符合现代电子制造的环保要求。
　　该器件的工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于工业级和汽车电子应用，具备良好的环境适应性和长期稳定性。此外，其存储温度范围也较宽，保证在各种存储和运输条件下的可靠性。
　　综上所述，TK2614M凭借其低导通电阻、高电流能力和良好的封装性能，在多种功率管理应用中表现出色，是工业控制、汽车电子和便携设备中的理想选择。

TK2614M广泛应用于多个领域，包括电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器和电池保护电路等。其高效率和低导通电阻特性使其特别适用于需要高能效和低发热的电源管理模块。在工业控制领域，该MOSFET可用于PLC（可编程逻辑控制器）和自动化设备中的开关电源和电机控制电路。在消费类电子产品中，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机，TK2614M可用于电池充电和电源管理单元。此外，其良好的温度稳定性和封装可靠性也使其适用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统和车身控制模块。

Si2302DS、FDN340P、FDS6680、TK1614K、TK2614K