TK1R5R04PB 时间：2025/5/22 19:03:48 阅读：6

TK1R5R04PB 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于开关和放大应用。它属于 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于电源管理、电机驱动以及各种工业和消费类电子产品中。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。

参数

型号：TK1R5R04PB
　　类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压 Vds：60V
　　最大栅源电压 Vgs：±20V
　　持续漏极电流 Id：36A
　　导通电阻 Rds(on)：4mΩ（典型值，在 Vgs=10V 下）
　　总功耗：180W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-247

特性

TK1R5R04PB 具有以下显著特点：
　　1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够有效降低功率损耗定电流能力，适用于大功率应用。
　　3. 快速开关性能，有助于提高系统效率。
　　4. 良好的热稳定性和可靠性，适应苛刻的工作环境。
　　5. 小型化设计与优化的散热性能，便于 PCB 布局。
　　6. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代电子产品的生产需求。
　　这些特性使 TK1R5R04PB 成为高效电源转换器、逆变器、电机控制以及其他高电流应用的理想选择。

应用

TK1R5R04PB 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
　　2. 工业电机驱动和伺服系统。
　　3. 太阳能逆变器和其他可再生能源设备。
　　4. 汽车电子系统，例如电动助力转向 (EPS) 和制动系统。
　　5. 高效 LED 驱动电路。
　　6. 各种需要高性能开关和功率管理的应用场景。