TJATTE3F2是一款由东芝(Toshiba)推出的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于需要高效率和高功率密度的电子设备中。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术,提供更低的导通电阻和更高的开关性能,适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和马达控制等多种应用领域。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流(ID):30A
漏源极电压(VDS):30V
栅源极电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):最大10.5mΩ(在VGS=10V时)
功率耗散(PD):120W
工作温度范围:-55°C至150°C
TJATTE3F2具有极低的导通电阻,有助于降低功率损耗并提高系统效率。其先进的沟槽结构设计和优化的芯片布局,使其在高频开关应用中表现出色,同时具备良好的热稳定性。该MOSFET还具备高雪崩能量耐受能力和过热保护功能,适用于严苛的工作环境。
此外,TJATTE3F2采用高性能的表面贴装封装(例如SOP Advance),提供更小的PCB占位面积,并有助于实现更高的组装密度。这种封装形式还支持自动焊接工艺,提升了制造过程中的可靠性和一致性。
该器件符合RoHS环保标准,适用于无铅生产工艺,并具备良好的抗静电(ESD)能力,确保在各种工业和消费类电子产品中的稳定运行。
TJATTE3F2常用于电源管理系统,例如DC-DC转换器、电池管理系统(BMS)、电动工具、电动自行车控制器、负载开关和电机驱动电路。由于其高效率和紧凑设计,它在便携式设备和高功率密度应用中特别受欢迎。
TJATTE3F2的替代型号包括TJATTE3F2L和TJATTE3F2H,它们在封装和电气特性方面略有不同,可以根据具体需求进行选择。