时间：2025/12/28 18:57:06
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TISP83121DR-S是一款由STMicroelectronics生产的双路、双向、瞬态电压抑制（TVS）二极管阵列，专为保护敏感电子设备免受静电放电（ESD）、电快速瞬变脉冲群（EFT）和浪涌等瞬态电压的损害而设计。该器件适用于各种通信和接口应用，例如USB、HDMI、以太网和其他高速数据线路。TISP83121DR-S采用SOT-323（SC-70）封装，具有小型化、高可靠性和低寄生电容的特点，非常适合用于空间受限和高密度PCB布局的设计。
类型：瞬态电压抑制（TVS）二极管阵列
极性：双向
通道数：2
工作电压：5V
最大反向关态电压（VRWM）：5V
击穿电压（VBR）：最小5.6V，典型6.2V，最大7.3V
钳位电压（VC）：最大12V（在Ipp = 1A条件下）
最大峰值脉冲电流（Ipp）：1A（每个通道）
响应时间：小于1ns
封装类型：SOT-323（SC-70）
TISP83121DR-S具有多个关键特性，使其成为高精度和高可靠性保护电路的理想选择。
首先，该器件为每个通道提供双向保护，适合保护差分信号线路和交流信号线路，这在高速接口保护中尤为重要。
其次，其低工作电压（VRWM为5V）和击穿电压（VBR典型值6.2V）确保了在正常工作电压范围内不会干扰信号传输，同时能够在瞬态事件中迅速导通，将高压脉冲引导至地，从而保护后级电路。
此外，该器件的钳位电压较低（最大12V），能够在发生ESD或浪涌事件时将电压限制在一个安全范围内，从而减少对受保护设备的损害风险。
其响应时间小于1ns，确保在瞬态事件发生时能够迅速反应，提供即时保护。该特性对于防止静电放电等快速瞬态现象对敏感IC造成的损害至关重要。
最后，TISP83121DR-S的封装为SOT-323（SC-70），体积小巧，适用于便携式电子设备和高密度PCB设计。其表面贴装封装也简化了制造流程，并有助于提高生产良率。
TISP83121DR-S广泛应用于需要静电放电和瞬态电压保护的电子系统中。常见应用包括USB接口、HDMI接口、以太网端口、RS-485、CAN总线、音频/视频输入输出端口等高速或通信接口的保护。它也适用于便携式消费电子设备如智能手机、平板电脑、笔记本电脑、数码相机等，用于保护内部电路免受外部连接器插拔过程中可能引入的静电放电冲击。此外，在工业自动化设备、汽车电子系统和通信基础设施中，该器件可用于保护控制线路和通信端口，提高系统的可靠性和抗干扰能力。
SMF05C, ESDA6V1W5B, TPD3E001, TCLAMP0502B
